[實(shí)用新型]一種LED芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821420088.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-08-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN209418533U | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-09-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 崔永進(jìn);莊家銘 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/40 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區(qū)獅*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電流擴(kuò)展 本實(shí)用新型 焊盤(pán) 出光效率 外延層 襯底 源層 反射 芯片 | ||
1.一種LED芯片，其特征在于，包括襯底、外延層、N型電極和P型電極，所述P型電極包括P焊盤(pán)和P電流擴(kuò)展條，所述P焊盤(pán)包括Cr層、Al層、Ti層、Pt層和Au層，所述P電流擴(kuò)展條包括Al層、Ti層、Pt層和Au層，Cr層的厚度為Al層的厚度為T(mén)i層的厚度為Pt層的厚度為Au層的厚度為
2.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，Cr層的厚度為Al層的厚度為T(mén)i層的厚度為Pt層的厚度為Au層的厚度為
3.如權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于，Cr層的厚度為Al層的厚度為T(mén)i層的厚度為Pt層的厚度為Au層的厚度為
4.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型電極包括N焊盤(pán)和N電流擴(kuò)展條，所述N焊盤(pán)和N電流擴(kuò)展條包括Cr層、Al層、Ti層、Pt層和Au層。
5.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片還包括電流阻檔層和透明導(dǎo)電層，所述外延層包括設(shè)于襯底上的N型氮化鎵層、設(shè)于N型氮化鎵層上的有源層、以及設(shè)于有源層上的P型氮化鎵層，所述電流阻擋層設(shè)于P型氮化鎵層上，所述透明導(dǎo)電層設(shè)于電流阻擋層上，所述N型電極設(shè)于N型氮化鎵層上，所述P型電極設(shè)于透明導(dǎo)電層上。
6.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片還包括絕緣層，所述絕緣層覆蓋在N焊盤(pán)側(cè)壁、P焊盤(pán)側(cè)壁、N電流擴(kuò)展條表面、以及P電流擴(kuò)展條表面。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
