[實用新型]一種晶體管、堆疊晶體管及射頻開關芯片

有效

• 申請號: 201821409968.X
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN208738258U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 鐘立平;張志浩;章國豪
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/768;H01L25/07;H03K17/687
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本申請公開了一種晶體管，包括在水平方向相互平行的源區和漏區，源區和漏區上設置有第一預定數量個金屬層，其中，各個金屬層堆疊設置，源區和漏區分別通過第二預定數量個過孔與第一層金屬層連接，其中，屬于源區區域的各個金屬層之間通過至少一個第一過孔連接；屬于漏區區域的各個金屬層之間通過至少一個第二過孔連接；其中，在同一金屬層中，第一過孔與第二過孔不設置于相對位置；該晶體管通過將所屬源區和漏區區域上的各個金屬層的連接完全錯開，減少了芯片內部金屬層中的金屬走線面積，從電路設計的根源上減少耦合，有效的降低了插入損耗，提高了隔離度。本申請還公開了一種堆疊晶體管及射頻開關芯片，也具有上述有益效果。

技術領域

本申請涉及電子元器件技術領域，特別涉及一種晶體管，還涉及一種堆疊晶體管及射頻開關芯片。

背景技術

隨著科學技術的發展，應用于智能手機的射頻開關在前端模組設計中扮演著越來越重要的角色，一方面由于現代智能手機不斷地追求著高速數據傳輸，集成了眾多不同頻段的移動通信技術；另一方面由于智能手機不斷地追求著多功能性，提供了許多其他無線非蜂窩式通信服務，如調頻收音機/移動電視、全球定位系統、藍牙、無線局域網和無線射頻標簽等，其中，在這些小型設備中保證支持如此多頻段和工作模式的關鍵元件就是射頻開關。而對于射頻開關，衡量其性能的參數可分為小信號和大信號指標，其中，對于小信號，插入損耗和隔離度是兩個基本的指標，在對射頻開關的芯片進行版圖設計時，一般會盡可能地實現相對低的插入損耗和相對高的隔離度，但是兩者通常相互制約，需要折中進行取舍。

在制造尺寸小于幾平方毫米的常規射頻開關時，適合采用以下三種技術：PIN二極管、微電子機械系統(MEMS)和固態場效應晶體管(FET)，其中，固態FET包括多種基于不同材料的不同的結構，且所有這些結構都具有高速、可靠、可高度集成和功耗低等重要特點，因此該技術非常適合微型射頻開關的制造。在現有技術中，是在封裝上采用射頻開關輸入輸出端口小節點接地，開關的并聯通路采用大節點接地，以此來減小耦合，從而減少了射頻開關的插入損耗，提高開關的隔離特性等。但是此種封裝優化只是減少了封裝過程中的損耗和耦合，并不能從根源上對插入損耗和隔離度進行優化。

因此，如何從根源上有效降低插入損耗以及提高隔離度，進一步提升射頻開關的工作性能是本領域技術人員亟待解決的問題。

實用新型內容

本申請的目的是提供一種晶體管，該晶體管通過將所屬源區和漏區區域上的各個金屬層的連接完全錯開，減少了芯片內部金屬層中的金屬走線面積，從電路設計的根源上減少耦合，有效的降低了插入損耗，提高了隔離度；本申請的另一目的是提供一種堆疊晶體管及射頻開關芯片，也具有上述有益效果。

為解決上述技術問題，本申請提供了一種晶體管，包括在水平方向相互平行的源區和漏區，所述源區和所述漏區上設置有第一預定數量個金屬層，其中，各個所述金屬層堆疊設置，所述源區和所述漏區分別通過第二預定數量個過孔與第一層金屬層連接，其中，

屬于所述源區區域的各個金屬層之間通過至少一個第一過孔連接；

屬于所述漏區區域的各個金屬層之間通過至少一個第二過孔連接；

其中，在同一所述金屬層中，所述第一過孔與所述第二過孔不設置于相對位置。

優選的，各個所述過孔分別在所述源區和所述漏區上按照預定間隔設置。

優選的，所述第一過孔的數量與所述第二過孔的數量相同。

優選的，所述第一過孔的數量與所述第二過孔的數量均為一個；

其中，在同一所述金屬層中，所述第一過孔與所述第二過孔分別設置于所述金屬層不同的兩端。

優選的，所述第一過孔的數量與所述第二過孔的數量均為多個；