[實用新型]高抗閂鎖能力的IGBT器件

有效

• 申請號: 201821409293.9
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN208460768U
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 許生根;楊曉鸞;張金平;姜梅
• 申請（專利權）人: 江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 韓鳳

1.一種高抗閂鎖能力的IGBT器件，包括半導體基板以及位于所述半導體基板中心的元胞區，所述半導體基板包括第一導電類型漂移區以及位于所述第一導電類型漂移區內上部的第二導電類型基區；其特征是：

所述元胞區包括若干元胞，每個元胞內包括兩個相鄰的元胞溝槽，所述元胞溝槽位于第二導電類型基區內，且元胞溝槽的槽底位于所述第二導電類型基區下方的第一導電類型漂移區內；

在所述IGBT器件的截面上，元胞溝槽槽底的寬度大于元胞溝槽槽口的寬度，在元胞溝槽內的側壁以及底壁設置柵氧化層，在設置柵氧化層的元胞溝槽內填充有柵極導電多晶硅；在元胞溝槽相對應外側壁的第二導電類型基區內設置第一導電類型源區，第一導電類型源區與鄰近元胞溝槽的外側壁接觸；

在相鄰的元胞溝槽之間設置源極接觸孔，所述源極接觸孔貫穿第二導電類型基區，源極接觸孔的孔底位于第二導電類型基區下方的第一導電類型漂移區內；所述源極接觸孔包括位于上部的第一孔區以及位于下部的第二孔區，所述第一孔區的寬度大于第二孔區的寬度，第一孔區與第二孔區相互連通，在所述第二孔區的內壁上設置接觸孔電介質層；

在所述IGBT器件的截面上，第一導電類型漂移區的上方還設置源極金屬層以及柵極金屬層，所述源極金屬層填充在源極接觸孔的第一孔區以及第二孔區內，且源極金屬與第二導電類型基區、第一導電類型源區歐姆接觸，柵極金屬與柵極導電多晶硅歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的高抗閂鎖能力的IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，所述源極接觸孔的第一孔區與元胞溝槽的槽底交疊。

3.根據權利要求1所述的高抗閂鎖能力的IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，第二孔區的孔底與元胞溝槽的槽底的上邊緣在同一水平面上，第二孔區與元胞溝槽的外壁之間的間隙至少為1μm。

4.根據權利要求1所述的高抗閂鎖能力的IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，所述第一孔區的深度不小于第一導電類型源區的深度。

5.根據權利要求1所述的高抗閂鎖能力的IGBT器件，其特征是：所述接觸孔電介質層包括氧化硅或氮化硅，接觸孔電介質層的厚度為

6.根據權利要求1所述的高抗閂鎖能力的IGBT器件，其特征是：在所述第一導電類型漂移區的背面設置第二導電類型集電區，在所述第二導電類型集電區上設置集電極金屬層，所述集電極金屬層與第二導電類型集電區歐姆接觸。