[實用新型]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201821407253.0
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN208904010U
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 華良
• 申請（專利權）人: 杭州友旺科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 王月玲

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：

基島；

第一芯片，位于所述基島上；

至少一個第二芯片，所述至少一個第二芯片層疊于所述第一芯片上；以及

多個管腳，分別與所述基島、所述第一芯片以及所述第二芯片電連接，

其中，所述基島、所述第一芯片以及所述第二芯片通過所述多個管腳與外部電路連接。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述多個管腳包括：

第一管腳，與所述基島連接；

第二管腳，與所述第一管腳相鄰，并與所述第一芯片連接；以及

管腳組，包括相鄰的第三管腳至第N管腳，N為大于等于3的整數，所述管腳組中的每個所述管腳分別與所述第一芯片或所述第二芯片連接，

其中，所述第三管腳與所述第二管腳相鄰設置。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一管腳與所述第二管腳之間的間距為第一間距，所述第三管腳與所述第二管腳之間的間距為第二間距，所述管腳組中的每個所述管腳之間的間距為第三間距，

其中，所述第一間距大于所述第二間距。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二間距為所述第一間距的兩倍。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二間距與所述第三間距相等。

6.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二管腳通過多條并聯的鍵合導線與所述第一芯片鍵合。

7.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，每個所述管腳分別包括鍵合區，

所述第一管腳與所述第二管腳的鍵合區與所述第一芯片相連，

所述第三至第N管腳的鍵合區分別與所述第一芯片或所述第二芯片連接，

其中，所述第二管腳還包括與所述外部電路連接的暴露區，所述第二管腳的鍵合區的寬度大于所述第二管腳的暴露區的寬度。

8.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一管腳、所述第二管腳以及所述第三管腳按形狀分為兩組管腳，包括：

第一組管腳，呈彎折形狀；以及

第二組管腳，呈豎直形狀；

所述第一組管腳與所述第二組管腳交錯排布。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一芯片的面積大于所述第二芯片的面積，所述第一芯片包括承載區域，所述第二芯片用絕緣膠固定在所述承載區域上。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一芯片與所述第二芯片包括內部連接區，所述第一芯片與所述第二芯片通過所述內部連接區電連接。

11.根據權利要求1-10任一所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括基底，位于所述基島下方，用于承載所述基島。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述基底呈矩形板狀，并具有安裝孔。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括塑封體，覆蓋所述基島、所述第一芯片、所述第二芯片以及部分所述基底，并暴露所述安裝孔。

14.根據權利要求1-10任一所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一芯片包括功率芯片，

所述第二芯片包括控制芯片。

15.根據權利要求2-8任一所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一管腳包括功率管腳或高壓端管腳，

所述第二管腳包括電流管腳。