[實用新型]單晶硅爐用碳碳分體導流筒

有效

• 申請號: 201821407034.2
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN208667896U
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 王金鐸;啜艷明;郭賓;胡士偉;周倩
• 申請（專利權）人: 保定順天新材料股份有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 劉敏

本實用新型公開了一種單晶硅爐用碳碳分體導流筒，包括筒體，筒體由上筒體和下筒體組成，下筒體和上筒體設置為分體式結構，上筒體設置為圓柱形結構，且上筒體的底部設置有外凹槽；下筒體設置為圓弧形結構，且下筒體的上端設置有與外凹槽相適應的內凹槽，內凹槽的寬度和外凹槽的寬度之和與上筒體的壁厚相同；內凹槽與外凹槽連接部位的中間處設置有若干個連接孔，若干個述連接孔均勻等距設置；下筒體的底部中心處設置有錐孔，錐孔上設置有凸臺；上筒體的上端邊緣設置有外沿，外沿上設置有若干個沉孔。本實用新型設置為分體結構就可以實現多次更換R角部分，節約了成本、延長了導流筒的使用壽命。

技術領域

本實用新型涉及導流筒技術領域，尤其是涉及一種單晶硅爐用碳碳分體導流筒。

背景技術

太陽能光伏行業的快速發展，對單晶電池片的質量要求越來越高，企業需要不斷的進行技術創新，去提高單晶質量及產量，降低單晶拉制的生產成本才能給企業帶來最大的經濟收益。碳碳導流筒在單晶拉晶熱場中用于控制熱場溫度梯度及引導氬氣流；在拉晶過程中導流筒由于受硅蒸汽腐蝕，下部R角處易形成碳化硅，而碳纖維不被硅化，碳化硅在導流筒表面附著力小容易掉落到石英坩堝融化硅料中，使硅棒碳含量高甚至出現長晶成多晶硅的情況，為保證拉晶純度及成晶率，導流筒腐蝕后就需要整體報廢。而且目前國內單晶硅爐采用碳碳導流筒實現控制熱場溫度梯度及引導保護氣體氬氣流向作用，導流筒結構及裝配位置決定生產過程中R角處極易腐蝕(C+Si→SiC)而報廢，平均報廢時間4-8個月，但R角以上部分使用壽命達到平均60個月以上，R角處報廢后導致整理導流筒報廢，增加了更換成本。鑒于以上原因，設計一種單晶硅爐用碳碳分體導流筒是很有必要的。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種單晶硅爐用碳碳分體導流筒，設置為分體結構就可以實現多次更換R角部分，節約了成本、延長了導流筒的使用壽命。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種單晶硅爐用碳碳分體導流筒，包括筒體，所述筒體由上筒體和下筒體組成，所述下筒體和所述上筒體設置為分體式結構，所述上筒體設置為圓柱形結構，且所述上筒體的底部設置有外凹槽；

所述下筒體設置為圓弧形結構，且所述下筒體的上端設置有與所述外凹槽相適應的內凹槽，所述內凹槽的寬度和所述外凹槽的寬度之和與所述上筒體的壁厚相同；

所述內凹槽與所述外凹槽連接部位的中間處設置有若干個連接孔，若干個所述連接孔均勻等距設置；

所述下筒體的底部中心處設置有錐孔，所述錐孔上設置有凸臺；

所述上筒體的上端邊緣設置有外沿，所述外沿上設置有若干個沉孔。

優選的，所述外凹槽的寬度和所述內凹槽的寬度相同，均為所述上筒體壁厚的二分之一，且所述外凹槽與所述內凹槽的高度為25毫米。

優選的，所述外凹槽和所述內凹槽均設置為L型結構，所述內凹槽和所述外凹槽均與所述上筒體相垂直，且所述連接孔設置為十個，所述連接孔內穿設有m5螺栓。

優選的，所述外沿的厚度大于所述上筒體的壁厚，所述沉孔設置為四個，且均勻等距設置。

優選的，所述凸臺設置為圓形結構。

因此，本實用新型采用上述結構的單晶硅爐用碳碳分體導流筒，設置為分體結構就可以實現多次更換R角部分，節約了成本、延長了導流筒的使用壽命。

下面通過附圖和實施例，對本實用新型的技術方案做進一步的詳細描述。

附圖說明

圖1為本實用新型一種單晶硅爐用碳碳分體導流筒實施例的結構示意圖；

圖2為本實用新型一種單晶硅爐用碳碳分體導流筒實施例的局部示意圖。

具體實施方式

實施例