[實(shí)用新型]一種高電壓大電流混合型SiC-IGBT應(yīng)用單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821404074.1
• 申請(qǐng)日: 2018-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208836011U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李守蓉;陳彥肖;楊春宇;丁巧婭;王雷;楊璐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安中車永電電氣有限公司
• 主分類號(hào): H02M7/00
• 分類號(hào): H02M7/00
• 代理公司: 西安新動(dòng)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61245
• 代理人: 劉強(qiáng)

1.一種高電壓大電流混合型SiC-IGBT應(yīng)用單元，其特征在于，包括散熱裝置(1)、混合型SiC-IGBT功率器件(2)、驅(qū)動(dòng)板(3)、電氣連接部件(4)、絕緣部件(5)、吸收電容(6)、放電電阻(7)、保護(hù)架(8)和框架組件(9)；所述混合型SiC-IGBT功率器件(2)單側(cè)放置在散熱裝置(1)一側(cè)，裝有驅(qū)動(dòng)板(3)的框架組件(9)放置在散熱裝置(1)的另一側(cè)，吸收電容(6)和放電電阻(7)放置在散熱裝置(1)后側(cè)；混合型SiC-IGBT功率器件(2)、吸收電容(6)和放電電阻(7)與電氣連接部件(4)連接；所述電氣連接部件(4)設(shè)有用于與外部裝置對(duì)接的輸出接口，該輸出接口放置在絕緣部件(5)之上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓大電流混合型SiC-IGBT應(yīng)用單元，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)板(3)為3300V/1200A的IGBT驅(qū)動(dòng)板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓大電流混合型SiC-IGBT應(yīng)用單元，其特征在于，所述吸收電容(6)和放電電阻(7)組成RC吸收電路用以降低混合型SiC-IGBT功率器件(2)的關(guān)斷電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高電壓大電流混合型SiC-IGBT應(yīng)用單元，其特征在于，所述RC吸收電路設(shè)置在混合型SiC-IGBT功率器件(2)的一個(gè)橋臂上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓大電流混合型SiC-IGBT應(yīng)用單元，其特征在于，所述吸收電容(6)為8.7uF。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓大電流混合型SiC-IGBT應(yīng)用單元，其特征在于，所述放電電阻(7)為500KΩ，功率為250W。