[實用新型]一種變頻器上電電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821394152.4 | 申請日: | 2018-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN209313720U | 公開(公告)日: | 2019-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 奚君輝 | 申請(專利權(quán))人: | 惠州市金田科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/36 | 分類號: | H02M1/36;H02M1/34 |
| 代理公司: | 惠州市超越知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44349 | 代理人: | 陳文福;陳惠珠 |
| 地址: | 516000 廣東省惠州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 變頻器 可控硅 上電電路 繼電器 上電緩沖電路 電源 本實用新型 儲能電路 光耦隔離電路 兩端并聯(lián)電阻 可控硅驅(qū)動 濾波電路 整流電路 高功率 并聯(lián) 布板 簡易 供電 替代 保證 | ||
1.一種變頻器上電電路,包括整流電路、儲能電路、濾波電路和光耦隔離電路,其特征在于:
所述整流電路的輸入端與電源R相,電源S相和電源T相連接;
所述整流電路和濾波電路之間通過上電緩沖電路電連接;
所述上電緩沖電路包括若干電阻和可控硅(DE),所述若干電阻之間互相并聯(lián),一端與所述可控硅(DE)的陽極電連接,另一端和所述可控硅(DE)的陰極電連接;
所述可控硅(DE)的陰極與電阻的連接節(jié)點(diǎn)電連接所述整流電路的輸出端,所述可控硅(DE)的控制極和陰極構(gòu)成所述濾波電路的輸入端;
所述儲能電路包括充電電容(C4),所述充電電容(C4)的正極與所述可控硅(DE)的陰極連接,所述充電電容(C4)的負(fù)極與所述整流電路的輸入端連接;
所述光耦隔離電路與濾波電路的輸出端電性連接,所述光耦隔離電路的輸出端電連接繼電器(RELAY)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種變頻器上電電路,其特征在于:所述整流電路為橋式整流電路,包括第一二極管(VD1)、第二二極管(VD2)、第三二極管(VD3)、第四二極管(VD4)、第五二極管(VD5)和第六二極管(VD6)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種變頻器上電電路,其特征在于:
第三二極管(VD3)與第六二極管(VD6)、第二二極管(VD2)與第五二極管(VD5)和第一二極管(VD1)與第四二極管(VD4)分別串聯(lián)連接;
第一二極管(VD1)的正極與第四二極管(VD4)負(fù)極連接,第二二極管(VD2)的正極與第五二極管(VD5)的負(fù)極連接,第三二極管(VD3)的正極與第六二極管(VD6)的負(fù)極連接;
第一二極管(VD1)與第四二極管(VD4)、第二二極管(VD2)與第五二極管(VD5)、第三二極管(VD3)與第六二極管(VD6)的中間節(jié)點(diǎn)分別連接至電源R相、電源S相和電源T相;
第一二極管(VD1)、第二二極管(VD2)和第三二極管(VD3)的負(fù)極連接至直流母線P極,第四二極管(VD4)、第五二極管(VD5)和第六二極管(VD6)的正極連接至直流母線N極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種變頻器上電電路,其特征在于:
所述濾波電路包括第三電容(C3)、第十二電阻(R12)、二極管(D2)、第十四電阻(R14)、第十三電阻(R13)、第九電阻(R9)、第八電阻(R8)、晶體管(Q1)和第二電容(C2);
所述二極管(D2)的負(fù)極電連接所述可控硅(DE)的控制極,所述二極管(D2)的正極電連接所述可控硅(DE)的陰極,所述第三電容(C3)、第十二電阻(R12)分別和所述二極管(D2)并聯(lián);
所述第十三電阻(R13)和第九電阻(R9)并聯(lián),一端電連接所述可控硅(DE)的控制極,另一端電連接所述晶體管(Q1)的集電極;
所述第九電阻(R9)一端電連接所述晶體管(Q1)的發(fā)射極,另一端電連接所述晶體管(Q1)的基極;
所述第二電容(C2)并聯(lián)在所述濾波電路的輸出端;
所述第八電阻(R8)串聯(lián)在所述濾波電路的正輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種變頻器上電電路,其特征在于:所述第二電容(C2)與所述濾波電路的正輸出端的電連接節(jié)點(diǎn)位于所述第八電阻(R8)和所述第九電阻(R9)與所述晶體管(Q1)基極的電連接節(jié)點(diǎn)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種變頻器上電電路,其特征在于:
所述光耦隔離電路包括光耦芯片(U1)、第十一電阻(R11)、第十電阻(R10)和第一電容(C1);
所述光耦芯片(U1)包括發(fā)光二極管及三極管;
所述三極管的集電極連接所述濾波電路的正輸出端,發(fā)射極連接到所述濾波電路的負(fù)輸出端;
所述發(fā)光二極管的正極與負(fù)極之間并聯(lián)所述第十一電阻(R11),所述正極與高電平VCC相連接,所述負(fù)極通過所述第十電阻(R10)與繼電器連接,所述負(fù)極通過所述第一電容(C1)與地相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種變頻器上電電路,其特征在于:所述高電平VCC 的電壓值為12伏。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種變頻器上電電路,其特征在于:所述可控硅(DE)并聯(lián)的電阻的數(shù)量為七。
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