[實用新型]基于單(6-巰基-6-去氧)-β-環糊精的L-半胱氨酸傳感器有效
| 申請號: | 201821387622.4 | 申請日: | 2018-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN209231256U | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發明(設計)人: | 曹忠;王煜;于鑫垚;肖忠良;馮澤猛;印遇龍 | 申請(專利權)人: | 長沙理工大學 |
| 主分類號: | G01N27/26 | 分類號: | G01N27/26;G01N27/327 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340 | 代理人: | 劉佳芳 |
| 地址: | 410114 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金電極 環糊精 巰基 場效應晶體管 柵極延長 傳感器 本實用新型 半胱氨酸 金膜層 分子間作用力 選擇性識別 表面組裝 電極表面 放大作用 靈敏檢測 原位信號 超分子 膜電位 延長柵 自組裝 吸附 修飾 簡易 | ||
1.基于單(6-巰基-6-去氧)-β-環糊精的L-半胱氨酸傳感器,所述傳感器包括場效應晶體管,所述場效應晶體管上設有柵極延長的金電極,其特征在于,所述柵極延長的金電極中,所述柵極部分延長0.1—500mm的距離,金電極的金膜層(10)表面組裝有單(6-巰基-6-去氧)-β-環糊精膜(12)。
2.如權利要求1所述的傳感器,其特征在于,所述場效應晶體管包括Si基底層(1)和設于Si基底層(1)上的多晶硅柵極(7);所述Si基底層(1)上植入p阱(2)和N型襯底(3),所述p阱(2)處設有源電極(4)和漏電極(5),被植入p阱(2)和N型襯底(3)并構建有源電極(4)和漏電極(5)的Si基底層(1)上設有二氧化硅層(6);所述多晶硅柵極(7)的基底層上依次鍍上鋁銅合金層(8)、鉻鈀合金層(9)和金膜層(10);在多晶硅柵極(7)的基底層和二氧化硅層(6)上還設有氮化硅層(11)。
3.如權利要求2所述的傳感器,其特征在于,所述鋁銅合金層(8)的厚度為20—600nm,鉻鈀合金層(9)的厚度為20—600nm,金膜層(10)的厚度為20—1000nm。
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