[實用新型]一種曝光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821385243.1 | 申請日: | 2018-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN208580294U | 公開(公告)日: | 2019-03-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳勇輝;張俊 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基底 盤子單元 測量單元 吸附 曝光單元 傳輸單元 曝光裝置 同步傳輸 測量 閑置 本實用新型 傳輸 可拆卸的 曝光 測量基 曝光光 產(chǎn)能 協(xié)調(diào) | ||
本實用新型公開了一種曝光裝置。該曝光裝置包括:測量單元、曝光單元和中轉(zhuǎn)傳輸單元;測量單元用于放置基底,并測量基底的位置;測量單元包括可拆卸的載盤子單元,載盤子單元用于吸附基底,且載盤子單元與被吸附的基底同步傳輸;中轉(zhuǎn)傳輸單元用于固定和傳輸基底、載盤子單元、基底以及吸附基底的載盤子單元;中轉(zhuǎn)傳輸單元用于在曝光單元閑置時將測量后的基底以及吸附基底的載盤子單元同步傳輸至曝光單元,以及用于在測量單元閑置時將未吸附基底的載盤子單元傳輸至測量單元;曝光單元用于對測量后的基底進行曝光。該技術(shù)方案可協(xié)調(diào)測量時間和曝光時間,提高雙臺曝光光刻技術(shù)的產(chǎn)能。
技術(shù)領域
本實用新型實施例涉及顯示面板制造技術(shù)領域,尤其涉及一種曝光裝置。
背景技術(shù)
光刻技術(shù)是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將圖案形成單元上的圖形轉(zhuǎn)移到基底上的技術(shù)。其主要過程為:首先光線通過圖案形成單元照射到形成有一層光刻膠層的基底表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學反應;再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負性光刻膠),使圖案形成單元上的圖形被復制到光刻膠層上;最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基底上。
產(chǎn)業(yè)化過程中,為了提高產(chǎn)能(產(chǎn)能,通常利用一段時間內(nèi)生產(chǎn)產(chǎn)品的數(shù)量來衡量,是衡量企業(yè)生產(chǎn)效率的重要指標之一,產(chǎn)能越高,生產(chǎn)效率越高),可采用雙臺曝光或多臺曝光技術(shù)。通常,雙臺曝光技術(shù)中,利用一個工件臺作為測量單元、另一個工件臺作為曝光單元。但是,由于基底測量時間與曝光時間不匹配,產(chǎn)能難以繼續(xù)提高。
實用新型內(nèi)容
本實用新型提供一種曝光裝置,以繼續(xù)提高雙臺曝光技術(shù)的產(chǎn)能。
第一方面,本實用新型實施例提出一種曝光裝置,該曝光裝置包括:
測量單元、曝光單元和中轉(zhuǎn)傳輸單元;
所述測量單元用于放置基底,并測量所述基底的位置;所述測量單元包括可拆卸的載盤子單元,所述載盤子單元用于吸附所述基底,且所述載盤子單元與被吸附的所述基底同步傳輸;
所述中轉(zhuǎn)傳輸單元用于固定和傳輸所述載盤子單元,或載有所述基底的所述載盤子單元;所述中轉(zhuǎn)傳輸單元用于在所述曝光單元閑置時將測量后的所述基底以及吸附所述基底的所述載盤子單元同步傳輸至所述曝光單元,以及用于在所述測量單元閑置時將未吸附所述基底的所述載盤子單元傳輸至所述測量單元;
所述曝光單元用于對測量后的所述基底進行曝光。
進一步地,所述中轉(zhuǎn)傳輸單元包括中轉(zhuǎn)子單元和傳輸子單元;
所述中轉(zhuǎn)子單元用于放置測量后的基底以及吸附所述基底的所述載盤子單元;
所述傳輸子單元用于在所述中轉(zhuǎn)子單元閑置時將測量后的所述基底以及吸附所述基底的所述載盤子單元從測量單元同步傳輸至中轉(zhuǎn)子單元,用于在所述曝光單元閑置時將放置于所述中轉(zhuǎn)子單元的所述基底以及吸附基底的所述載盤子單元同步傳輸至所述曝光單元,用于將曝光后的所述基底下片,以及用于將未吸附所述基底的所述載盤子單元傳輸至閑置的所述測量單元。
進一步地,所述載盤子單元包括第一真空接口和第二真空接口,所述測量單元包括第三真空接口,所述中轉(zhuǎn)子單元包括第四真空接口,所述傳輸子單元包括第六真空接口,所述曝光單元包括第五真空接口;
所述第一真空接口用于與所述測量單元的第三真空接口、所述中轉(zhuǎn)子單元的第四真空接口或所述曝光單元的第五真空接口連接,所述第二真空接口用于與所述傳輸子單元的第六真空接口連接。
進一步地,所述中轉(zhuǎn)子單元包括至少兩個中轉(zhuǎn)位置;
每個所述中轉(zhuǎn)位置用于放置一個所述載盤子單元以及被所述載盤子單元吸附的所述基底,或者一個所述載盤子單元,或者一個所述基底。
進一步地,所述中轉(zhuǎn)傳輸單元包括至少兩個傳輸子單元;
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