[實用新型]一種低氮含量SiC單晶生長裝置有效
| 申請號： | 201821380518.2 | 申請日： | 2018-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN208717470U | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 胡小波;徐現剛;陳秀芳;彭燕;楊祥龍 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 葉亞林 |
| 地址： | 250199 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石英管 本實用新型 石墨坩堝 單晶生長裝置 保溫材料 上密封法蘭 感應線圈 生長裝置 石墨托盤 生長腔 下密封 低氮 法蘭 頂部開口 坩堝密封 感應線 解吸附 水冷罩 外側壁 單層 單晶 圈套 | ||
【權利要求書】：
1.一種低氮含量SiC單晶生長裝置，其特征在于，包括感應線圈、石英管和設置在石英管兩端的上密封法蘭、下密封法蘭；石英管、上密封法蘭和下密封法蘭圍成生長腔；所述感應線圈套設在石英管的外側壁上；所述感應線圈的外側套設有水冷罩；所述生長腔內設置有石墨托盤和石墨坩堝；石墨坩堝包裹保溫材料后設置在石墨托盤上；所述石墨坩堝的頂部開口設置有坩堝密封蓋。
2.根據權利要求1所述的低氮含量SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述水冷罩由兩個不銹鋼圓管套接組成；上密封法蘭、下密封法蘭均為空腔結構；所述水冷罩內，上密封法蘭、下密封法蘭內均通有循環冷卻水。
3.根據權利要求1所述的低氮含量SiC單晶生長裝置，其特征在于，感應線圈內側與石英管外壁之間的間隙為3～5mm。
4.根據權利要求1所述的低氮含量SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述的感應線圈主體為螺旋形，感應線圈的兩個電極端與中頻電源連接；所述感應線圈的中心軸與石英管的中心軸重合。
5.根據權利要求1所述的低氮含量SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述上密封法蘭中心設置有測溫窗口，所述測溫窗口上設置有進氣口；生長腔通過下密封法蘭與四通的一個接口連通；四通的兩個側端口分別連接分子泵和機械泵。
6.根據權利要求1所述的低氮含量SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述石墨坩堝和保溫材料具有中心對稱性。
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