[實用新型]耐高溫硅壓阻壓力敏感元件

有效

• 申請號: 201821376948.7
• 申請日: 2018-08-25
• 公開（公告）號: CN208704923U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 王林;杜鵬;羅擴郎;蘇長遠;田文晉;劉利;郝玉慧
• 申請（專利權）人: 成都凱天電子股份有限公司
• 主分類號: G01L1/20
• 分類號: G01L1/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種耐高溫硅壓阻壓力敏感元件，包括：固定在不銹鋼圓筒殼體(1)內腔底部圓筒臺階上的絕緣子(6)及其層疊相連其上的透明盤(5)，以及層疊相連其上方的透明環(2)，其特征在于，透明盤(5)上方層疊陽極鍵合劃片形成的硅壓阻壓力芯片(3)，并通過周向上支撐的環盤形成盤腔，硅壓阻壓力芯片(3)底部上的四個中央對稱鉑金電極導柱的四個感壓電阻組成的惠思登電橋，面向透明盤(5)，通過環盤底部制有落入透明盤(5)周向分布的錐形孔(4)中的導柱對位固定，圍繞透明盤(5)圓心等分均布的金屬導線(7)穿過絕緣子(6)，伸入填充有導電銀漿的錐形孔(4)中，連同固定在透明盤(5)下方的玻璃絕緣子(6)一體高溫燒結組成承受被測應力的透明基座，被固定在透明盤(5)上方的硅壓阻壓力芯片(3)，通過裝夾在硅壓阻壓力芯片(3)與透明環(2)之間的彈性膜片硅環，感受來自不銹鋼圓筒殼體(1)上方端蓋(8)受壓面的被測壓力。

2.如權利要求1所述的耐高溫硅壓阻壓力敏感元件，其特征在于：硅壓阻壓力芯片(3)背襯底與透明盤(5)頂層硅之間引入一層埋氧化層形成介質隔離的半導體薄膜。

3.如權利要求1所述的耐高溫硅壓阻壓力敏感元件，其特征在于：硅壓阻壓力芯片(3)按設計版圖經MEMS工藝流片加工成型后，正面陽極鍵合透明盤(5)，背面陽極鍵合透明環(2)，劃片形成單個的硅壓阻壓力芯片。

4.如權利要求1所述的耐高溫硅壓阻壓力敏感元件，其特征在于：硅壓阻壓力芯片(3)是一塊沿某晶向切割的N型硅膜片，硅膜片利用其上的集成電路工藝方法擴散上四個阻值相等的P型電阻，用導線將其構成平衡電橋。

5.如權利要求4所述的耐高溫硅壓阻壓力敏感元件，其特征在于：硅膜片上部用方形凸臺硅片固定，其下部是與被測系統相連的壓力腔。

6.如權利要求1所述的耐高溫硅壓阻壓力敏感元件，其特征在于：端蓋(8)直接承受被測壓力，透明環(2)與端蓋(8)基體被測介質直接接觸，通過彈性硅膜片將被測壓力傳遞到芯片檢測被測壓力。