[實用新型]一種導熱電磁噪聲抑制片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821374387.7 | 申請日: | 2018-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN209022558U | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王政華;王鮮;楊家稷;李寅瑞;龔榮洲 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市飛鴻達科技有限公司;華中科技大學 |
| 主分類號: | B32B27/06 | 分類號: | B32B27/06;B32B27/28;B32B15/08;B32B3/12;B32B3/08 |
| 代理公司: | 武漢東喻專利代理事務(wù)所(普通合伙) 42224 | 代理人: | 趙偉 |
| 地址: | 518106 廣東省深圳市光明新區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機硅樹脂 導熱 電磁噪聲抑制 吸波介質(zhì) 電磁帶隙結(jié)構(gòu) 吸波介質(zhì)層 吸波 本實用新型 金屬箔 頂層 網(wǎng)格 貼片 電磁波吸收劑 導熱性能 電磁噪聲 調(diào)控特性 吸波能力 中心頻率 電磁波 復合體 構(gòu)建 帶寬 吸收 網(wǎng)絡(luò) | ||
1.一種導熱電磁噪聲抑制片,其特征在于,包括有機硅樹脂基吸波介質(zhì)頂層、有機硅樹脂基吸波介質(zhì)底層,以及嵌于有機硅樹脂基吸波介質(zhì)頂層與底層間的電磁帶隙結(jié)構(gòu)層;
電磁帶隙結(jié)構(gòu)層包括若干金屬箔和吸波介質(zhì)層,金屬箔呈網(wǎng)格狀周期性分布在吸波介質(zhì)層上,在導熱電磁噪聲抑制片中形成導熱網(wǎng)絡(luò)。
2.如權(quán)利要求1所述的導熱電磁噪聲抑制片,其特征在于,含兩層或兩層以上電磁帶隙結(jié)構(gòu);導熱電磁噪聲抑制片從頂層至底層依次為:有機硅樹脂基吸波介質(zhì)頂層、電磁帶隙結(jié)構(gòu)層、若干中間層、有機硅樹脂基吸波介質(zhì)底層;所述中間層包括有機硅樹脂基吸波介質(zhì)層、電磁帶隙結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的導熱電磁噪聲抑制片,其特征在于,吸波介質(zhì)頂層與吸波介質(zhì)底層的總厚度為0.5~3.0mm。
4.如權(quán)利要求1或2所述的導熱電磁噪聲抑制片,其特征在于,所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)中的金屬箔的形狀采用方形、圓形或三角形。
5.如權(quán)利要求1或2所述的導熱電磁噪聲抑制片,其特征在于,電磁帶隙結(jié)構(gòu)的金屬箔厚度為5~50μm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市飛鴻達科技有限公司;華中科技大學,未經(jīng)深圳市飛鴻達科技有限公司;華中科技大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821374387.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





