[實(shí)用新型]短路保護(hù)的檢測(cè)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821373508.6
• 申請(qǐng)日: 2018-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209148780U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周阿鋮;曾正球
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳南云微電子有限公司;廣州金升陽(yáng)科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/00
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種短路保護(hù)的檢測(cè)電路，包括比較器，所述比較器，對(duì)開(kāi)關(guān)管的漏極電壓與短路保護(hù)閾值電壓進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果信號(hào)，用以完成短路保護(hù)功能，其特征在于：還包括正溫度系數(shù)電流生成電路和短路保護(hù)閾值生成電路，

所述正溫度系數(shù)電流生成電路，利用鏡像將檢測(cè)電流分為兩路并分別降落在構(gòu)成的單位晶體管數(shù)量不同的兩個(gè)雙極性晶體管上，然后通過(guò)第一電阻轉(zhuǎn)化成用于短路保護(hù)閾值補(bǔ)償?shù)恼郎囟认禂?shù)電流，通過(guò)正溫度系數(shù)電流生成電路的輸出端提供給短路保護(hù)閾值生成電路；

所述短路保護(hù)閾值生成電路，利用鏡像將正溫度系數(shù)電流分為兩路并分別降落在單位電阻構(gòu)成數(shù)量不同的第二電阻與第三電阻上，匹配生成與開(kāi)關(guān)管漏極檢測(cè)電壓溫度系數(shù)吻合的短路保護(hù)閾值電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短路保護(hù)的檢測(cè)電路，其特征在于：所述正溫度系數(shù)電流生成電路，由MOS管PM4、MOS管PM5、MOS管NM3、MOS管NM4、晶體管B1、晶體管B2和電阻R2構(gòu)成，MOS管PM4、PM5為兩個(gè)PMOS管，MOS管NM3、NM4為兩個(gè)NMOS管，晶體管B1、B2為兩個(gè)雙極型NPN晶體管，其連接關(guān)系是，MOS管PM4和MOS管PM5的源極均接電源端VCC，MOS管PM4的柵極和MOS管PM5的柵極連接在一起，并引出作為第一電流鏡的驅(qū)動(dòng)控制端；第一電流鏡的驅(qū)動(dòng)控制端還與MOS管PM5的漏極及MOS管NM4的漏極連接在一起，再引出作為正溫度系數(shù)電流生成電路的輸出端；MOS管NM4的柵極、MOS管NM3的柵極和漏極與MOS管PM4的漏極連接在一起，并引出作為正溫度系數(shù)電流生成電路的驅(qū)動(dòng)控制端；MOS管NM3的源極與晶體管B1的集電極和基極相連，MOS管NM4的源極與晶體管B2的集電極相連，晶體管B1的基極與晶體管B2的基極連接，晶體管B2的發(fā)射極接至電阻R2的一端，電阻R2的另一端和晶體管B1的發(fā)射極均接至地端GND，其中，晶體管B2是由兩個(gè)以上的單位雙極型NPN晶體管并聯(lián)構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的短路保護(hù)的檢測(cè)電路，其特征在于：所述正溫度系數(shù)電流生成電路的晶體管B2，單位雙極型NPN晶體管并聯(lián)的數(shù)量為3個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短路保護(hù)的檢測(cè)電路，其特征在于：所述短路保護(hù)閾值生成電路，由MOS管PM6、MOS管PM7、MOS管NM2、電容C1、電容C2、電阻R3和電阻R4組成，MOS管PM6、MOS管PM7為兩個(gè)PMOS管，MOS管NM2為一個(gè)高壓NMOS管，其連接關(guān)系是，MOS管PM6和MOS管PM7的源極均接電源端VCC，MOS管PM6和MOS管PM7的柵極連接在一起，還連接正溫度系數(shù)電流生成電路的輸出端；MOS管PM6的漏極與電容C1的一端、電阻R3的一端連接于一個(gè)第一輸出節(jié)點(diǎn)，第一輸出節(jié)點(diǎn)用于提供匹配生成的短路保護(hù)閾值給比較器的反相輸入端；電容C1與電阻R3的另一端均接至地端GND，MOS管PM7的漏極與電容C2的一端、電阻R4的一端連接于一個(gè)第二輸出節(jié)點(diǎn)，第二輸出節(jié)點(diǎn)用于提供開(kāi)關(guān)管漏極的檢測(cè)電壓給比較器的正相輸入端；電容C2的另一端接至地端GND，電阻R4的另一端與MOS管NM2的源極相連，MOS管NM2的柵極接電源端VCC，MOS管NM2的漏極接開(kāi)關(guān)管的漏極，用于檢測(cè)開(kāi)關(guān)管的漏極電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短路保護(hù)的檢測(cè)電路，其特征在于：還包括啟動(dòng)電路，啟動(dòng)電路控制檢測(cè)電路在電源電壓達(dá)到啟動(dòng)點(diǎn)后才工作，且檢測(cè)電路工作后啟動(dòng)電路關(guān)斷；所述啟動(dòng)電路，由MOS管PM1、MOS管PM2、MOS管PM3及電阻R1組成，MOS管PM1、MOS管PM2、MOS管PM3為三個(gè)PMOS管，其連接關(guān)系是，MOS管PM1和MOS管PM2的源極均接電源端VCC，MOS管PM1的柵極引出作為偏置電壓提供端，MOS管PM2的漏極引出作為上電保護(hù)關(guān)斷控制端；MOS管PM1的漏極、MOS管PM2的柵極與MOS管PM3的源極連接，MOS管PM3的柵極與其漏極連接后一起接至電阻R1的一端，電阻R1的另一端與地端GND連接。