[實用新型]一種具有應力緩沖結構的MEMS芯片有效

申請號：	201821364288.0	申請日：	2018-08-23
公開（公告）號：	CN208898497U	公開（公告）日：	2019-05-24
發明（設計）人：	華亞平	申請（專利權）人：	安徽北方芯動聯科微系統技術有限公司
主分類號：	B81B7/00	分類號：	B81B7/00;B81C1/00
代理公司：	蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 34102	代理人：	王琪
地址：	233042***	國省代碼：	安徽;34
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摘要：
搜索關鍵詞：	應力緩沖結構連接區投影本實用新型應力緩沖彈簧埋氧外框底板連接封裝應力外框邊緣成品率釋放孔封裝均布芯片制造
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【權利要求書】：

1.一種具有應力緩沖結構的MEMS芯片，其特征在于：由第一MEMS芯片和應力緩沖結構構成，應力緩沖結構通過中心埋氧與第一MEMS芯片的底板連接，所述的應力緩沖結構由連接區、應力緩沖彈簧和外框構成，應力緩沖彈簧位于外框和連接區之間，連接區的投影面積占第一MEMS芯片投影面積的1/10～1/3，應力緩沖結構上均布有釋放孔，應力緩沖結構的外框邊緣位于第一MEMS芯片邊緣的投影區內，應力緩沖結構的投影面積小于第一MEMS芯片的投影面積；

所述的應力緩沖結構和第一MEMS芯片的底板的材料都是硅；

所述的第一MEMS芯片由蓋板、MEMS結構層和底板組成，蓋板、MEMS結構層和底板圍成一個密封腔，可動的MEMS結構被密封在密封腔內，蓋板與MEMS結構層間有絕緣層隔離，絕緣層上有金屬層，金屬層上覆蓋有鈍化層保護，鈍化層上具有壓焊窗。

2.根據權利要求1所述的具有應力緩沖結構的MEMS芯片，其特征在于：連接區位于應力緩沖結構的中心區域，呈圓形或方形。

3.根據權利要求1所述的具有應力緩沖結構的MEMS芯片，其特征在于：應力緩沖結構的厚度為50～500 μm；中心埋氧的厚度為0.5～3 μm。

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