[實(shí)用新型]固體攝像元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821363169.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208848911U | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丹羽篤親 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 索尼半導(dǎo)體解決方案公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體攝像元件 轉(zhuǎn)換晶體管 輸出信號(hào)線 電壓信號(hào) 恒定電流 流轉(zhuǎn) 源極 電流電壓轉(zhuǎn)換電路 電流源晶體管 本實(shí)用新型 光電二極管 電容連接 電壓供給 光電轉(zhuǎn)換 恒定電壓 柵極連接 光電流 入射光 晶體管 輸出 | ||
1.一種固體攝像元件,其特征在于,具備:
光電二極管,對(duì)入射光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換而生成光電流;
轉(zhuǎn)換晶體管,將所述光電流轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)并從柵極輸出;
電流源晶體管,將規(guī)定的恒定電流供給至與所述柵極連接的輸出信號(hào)線;
電壓供給晶體管,將與來自所述輸出信號(hào)線的所述規(guī)定的恒定電流相應(yīng)的恒定電壓供給至所述轉(zhuǎn)換晶體管的源極;以及
電容,連接在所述轉(zhuǎn)換晶體管的所述柵極與所述源極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述電壓供給晶體管的柵極經(jīng)由輸入信號(hào)線與所述轉(zhuǎn)換晶體管的源極連接,
所述電容是所述輸入信號(hào)線與所述輸出信號(hào)線之間的布線間電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述輸入信號(hào)線與所述輸出信號(hào)線布線于互不相同的布線層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述輸入信號(hào)線與所述輸出信號(hào)線布線于相同的布線層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述電容是晶體管的柵極電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述固體攝像元件還具備:
緩沖器,修正所述電壓信號(hào);
減法器,降低修正后的所述電壓信號(hào)的電平;以及
量化器,將降低后的所述電壓信號(hào)量化,
所述光電二極管設(shè)置于層疊在檢測(cè)芯片的受光芯片,
所述量化器設(shè)置于層疊有所述受光芯片的檢測(cè)芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述轉(zhuǎn)換晶體管、所述電流源晶體管、所述電壓供給晶體管以及所電容設(shè)置于所述檢測(cè)芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述轉(zhuǎn)換晶體管以及所述電壓供給晶體管是N型晶體管,
所述電流源晶體管是P型晶體管,
所述轉(zhuǎn)換晶體管、所述電壓供給晶體管以及所述電容設(shè)置于所述受光芯片,
所述電流源晶體管設(shè)置于所述檢測(cè)芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述減法器具備:
第一電容,一端與所述緩沖器的輸出端子連接;
反相器,輸入端子與所述第一電容的另一端連接;以及
第二電容,與所述反相器并聯(lián)連接,
所述電容以及所述第二電容各自的電容值比所述第一電容的電容值小。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述緩沖器以及所述第一電容設(shè)置于所述受光芯片,
所述反相器以及所述第二電容設(shè)置于所述檢測(cè)芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述緩沖器以及所述減法器設(shè)置于所述檢測(cè)芯片。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固體攝像元件,其特征在于,
所述固體攝像元件還具備屏蔽件,該屏蔽件設(shè)置于所述受光芯片與所述檢測(cè)芯片之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





