[實用新型]一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器有效
| 申請號： | 201821362769.8 | 申請日： | 2018-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN208767320U | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發明（設計）人： | 張耿;劉敏霞;王紅成;張紹強;鄭華 | 申請（專利權）人： | 東莞理工學院 |
| 主分類號： | H01L31/113 | 分類號： | H01L31/113 |
| 代理公司： | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人： | 李慧 |
| 地址： | 523000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紫外探測器 復合層 溝道層 納米金屬顆粒 本實用新型 底材上表面 復合絕緣層 金屬電極 晶體管型 電極層 基薄膜 氧化物 薄膜晶體管型 紫外光照射 呈倒扣狀 光載流子 源漏電流 紫外探測 紫外光 暗電流 光電流 敏感度 上表面 下表面 包覆 底材 卡設 對稱 吸收 | ||
1.一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器，其特征在于：包括底材、設置于所述底材上表面的復合層、以及對稱卡設于所述復合層兩側的金屬電極；所述復合層包括電極層、SiO2/Si3N4復合絕緣層、IGZO溝道層和納米金屬顆粒，所述電極層的下表面與所述底材的上表面連接，所述SiO2/Si3N4復合絕緣層呈倒扣狀包覆于所述電極層的表面，所述IGZO溝道層設置于所述SiO2/Si3N4復合絕緣層的上表面，所述納米金屬顆粒分布于所述IGZO溝道層的上表面；所述SiO2/Si3N4復合絕緣層的兩側和IGZO溝道層的兩側均與所述金屬電極連接，所述金屬電極的下表面與所述底材的上表面連接；所述納米金屬顆粒在IGZO溝道層上表面的分布密度為1*106-1*1012/cm2。
2.根據權利要求1所述的一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器，其特征在于：所述納米金屬顆粒為Au、Pt、Ag或Al，所述納米金屬顆粒的粒徑為5-20nm。
3.根據權利要求1所述的一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器，其特征在于：所述底材為低阻Si片，所述低阻Si片的電阻率為0.01-3.0Ω·cm。
4.根據權利要求1所述的一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器，其特征在于：所述金屬電極頂部的水平面低于所述IGZO溝道層頂部的水平面。
5.根據權利要求1所述的一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器，其特征在于：所述IGZO溝道層的平面面積小于所述SiO2/Si3N4復合絕緣層的平面面積。
6.根據權利要求1所述的一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器，其特征在于：所述IGZO溝道層的平面面積為所述SiO2/Si3N4復合絕緣層的平面面積的3/5至9/10。
7.根據權利要求1所述的一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器，其特征在于：所述SiO2/Si3N4復合絕緣層包括包覆于所述電極層表面的SiO2絕緣層和包覆于所述SiO2絕緣層表面的Si3N4絕緣層，所述SiO2絕緣層的厚度為100-150nm，所述Si3N4絕緣層的厚度為50-200nm。
8.根據權利要求1所述的一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器，其特征在于：所述IGZO溝道層的厚度為60-120nm。
9.根據權利要求1所述的一種氧化物基薄膜晶體管型紫外探測器，其特征在于：所述金屬電極為厚度在100-300nm的Al電極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
