[實用新型]雙向MOSFET開關

有效

• 申請號: 201821359310.2
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN208971487U
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: J-P·埃格蒙特;J·C·J·杰森斯
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種雙向MOSFET開關，具有減少的體電流，所述開關的特征在于包括：

第一類型的半導體的體區，所述體區將第二類型的半導體的漏極區和源極區分開，所述體區連接到體端子，所述源極區連接到源極端子，并且所述漏極區連接到漏極端子；

所述第二類型的半導體的隱埋層，所述隱埋層將所述體區與所述第一類型的半導體的襯底分開，所述隱埋層耦接到隱埋層端子；

柵極端子，所述柵極端子可驅動以在所述體區中形成溝道，從而使得所述源極端子與所述漏極端子之間能夠導通；

第一配置開關，所述第一配置開關在所述源極端子電壓超過所述漏極端子電壓時將所述體端子從所述源極端子斷開連接；和

第二配置開關，所述第二配置開關在所述源極端子電壓超過所述漏極端子電壓時將所述體端子連接到所述隱埋層端子。

2.根據權利要求1所述的雙向MOSFET開關，其特征在于還包括耦接在所述源極端子與漏極電流感測端子之間的第一感測晶體管以及耦接在所述漏極端子與源極電流感測端子之間的第二感測晶體管，其中所述MOSFET開關使用至少所述漏極電流感測端子來監測正向電流并且使用至少所述源極電流感測端子來監測反向電流。

3.根據權利要求1所述的雙向MOSFET開關，其特征在于還包括開關控制器，所述開關控制器至少部分地基于所述漏極端子電壓和所述源極端子電壓來驅動所述第一配置開關和所述第二配置開關。

4.根據權利要求3所述的雙向MOSFET開關，其特征在于所述開關控制器的對所述第一配置開關和所述第二配置開關的驅動還基于所述柵極端子是否被斷言。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的雙向MOSFET開關，其特征在于半導體的所述第一類型是N型，并且半導體的所述第二類型是P型。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的雙向MOSFET開關，其特征在于半導體的所述第一類型是P型，并且半導體的所述第二類型是N型。

7.根據權利要求6所述的雙向MOSFET開關，其特征在于所述第一配置開關在所述源極端子電壓超過所述漏極端子電壓時將所述體端子從所述源極端子斷開連接，除非所述柵極端子被解除斷言，并且所述第二配置開關在所述源極端子電壓超過所述漏極端子電壓時將所述體端子連接到所述隱埋層端子，除非所述柵極端子被解除斷言。

8.根據權利要求7所述的雙向MOSFET開關，其特征在于所述第一配置開關在所述漏極端子電壓超過所述源極端子電壓或所述柵極端子被解除斷言時將所述體端子連接到所述源極端子，并且所述第二配置開關在所述漏極端子電壓超過所述源極端子電壓或所述柵極端子被解除斷言時將所述體端子從所述隱埋層端子斷開連接。

9.根據權利要求6所述的雙向MOSFET開關，其特征在于所述第一配置開關在所述漏極端子電壓超過所述源極端子電壓時將所述體端子連接到所述源極端子，并且所述第二配置開關在所述漏極端子電壓超過所述源極端子電壓時將所述體端子從所述隱埋層端子斷開連接。

10.根據權利要求9所述的雙向MOSFET開關，其特征在于所述隱埋層在由所述第二配置開關斷開連接時浮動。

11.根據權利要求6所述的雙向MOSFET開關，其特征在于所述第一配置開關和所述第二配置開關各自包括NMOS晶體管。

12.根據權利要求11所述的雙向MOSFET開關，其特征在于所述第一配置開關和所述第二配置開關各自具有不論所述源極端子電壓是否超過所述漏極端子電壓都耦接到所述MOSFET開關的源極端子的體端子。

13.根據權利要求6所述的雙向MOSFET開關，其特征在于所述第一配置開關和所述第二配置開關各自包括NMOS晶體管的反向串聯對。