[實用新型]屏蔽柵極場效應晶體管有效
| 申請號： | 201821355188.1 | 申請日： | 2018-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN208767305U | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發明（設計）人： | P·A·布爾克;D·E·普羅布斯特;S·J·霍賽 | 申請（專利權）人： | 半導體組件工業公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 屏蔽氧化物 屏蔽電極 柵極場效應晶體管 氧化物材料 多晶硅層 屏蔽 柵極電極 凹部 凹進 本實用新型 材料沉積 材料形成 溝槽形成 襯底 加寬 沉積 填充 申請 | ||
1.一種屏蔽柵極場效應晶體管，其特征在于包括：
溝槽，所述溝槽形成在襯底內；
屏蔽氧化物材料，所述屏蔽氧化物材料形成在所述溝槽內；
屏蔽電極材料，所述屏蔽電極材料沉積在所述屏蔽氧化物材料上，之后所述屏蔽氧化物材料在所述屏蔽電極上方凹進以加寬所述溝槽的上部部分，所述屏蔽電極材料凹進在所述屏蔽氧化物材料內以形成凹部；
多晶硅層間氧化物材料，所述多晶硅層間氧化物材料沉積在所述屏蔽電極材料上，填充所述凹部；以及
柵極電極，所述柵極電極形成在所述多晶硅層間氧化物材料上方。
2.根據權利要求1所述的屏蔽柵極場效應晶體管，其特征在于所述多晶硅層間氧化物材料的沉積厚度為所述凹部的至少一半寬度。
3.根據權利要求1所述的屏蔽柵極場效應晶體管，其特征在于所述多晶硅層間氧化物材料的沉積厚度在800埃與3,000埃之間。
4.根據權利要求1所述的屏蔽柵極場效應晶體管，其特征在于所述多晶硅層間氧化物材料從所述溝槽的側壁上的所述屏蔽氧化物材料蝕刻。
5.根據權利要求4所述的屏蔽柵極場效應晶體管，其特征在于所述屏蔽氧化物材料從所述填充的凹部上方的所述側壁蝕刻。
6.根據權利要求1所述的屏蔽柵極場效應晶體管，其特征在于所述多晶硅層間氧化物材料包括旋涂玻璃。
7.根據權利要求1所述的屏蔽柵極場效應晶體管，其特征在于所述多晶硅層間氧化物材料被摻雜以增加蝕刻速率和蝕刻選擇性。
8.根據權利要求1所述的屏蔽柵極場效應晶體管，其特征在于所述多晶硅層間氧化物材料摻雜有硼。
9.根據權利要求1所述的屏蔽柵極場效應晶體管，其特征在于所述多晶硅層間氧化物材料的厚度是所述柵極電極的厚度的至少三倍。
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