[實用新型]集成封裝結構

有效

• 申請號: 201821353283.8
• 申請日: 2019-01-21
• 公開（公告）號: CN208622711U
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 江子標
• 申請（專利權）人: 深圳銓力半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了集成封裝結構，包括封裝設置在外圍的塑封層，塑封層的內部自下至上依次堆疊設置有第二芯片和基板；基板上開設有第一芯片放置窗和第二凸點放置窗，第一芯片放置窗內設置有填充層以及封裝在填充層內的第一芯片，第一芯片的上端設置有第一焊盤、與第一焊盤電性連接的第一凸點以及與第一凸點電性連接并凸出塑封層的第一焊球；所述第二芯片的上端設置有第二焊盤、與第二焊盤電性連接的第二凸點以及與第二凸點電性連接并凸出塑封層的第二焊球。本實用新型結通過在基板上封裝設置第一芯片和第二芯片，并在第一芯片上設置第一焊球，在第二芯片上設置第二焊球的方式，使得本實用新型快速高效地進行封裝作業，封裝后的可靠性很高。

技術領域

本實用新型涉及半導體芯片封裝技術領域，特別是一種集成封裝結構。

背景技術

隨著電子工程的發展，人們對于集成電路(Integrated Circuit，簡稱IC)芯片小型化、輕量化及功能化的需求日漸增加，從最開始的單一組件的開發階段，逐漸進入到了集結多個組件的系統開發階段，與此同時在產品高效能及外觀輕薄的要求下，不同功能的芯片開始邁向整合的階段，因此封裝技術的不斷發展和突破，成為推動整合的力量之一。多芯片封裝技術的一個最重要的應用—系統級封裝(System in Package，簡稱：SiP)概念隨即被提出，SiP作為一種封裝技術是指通過將多芯片集中于一個單一封裝內，從而使芯片獲得系統功能，其具體的封裝形式千變萬化，可依照客戶或產品的需求對于不同的芯片排列方式及內部接合技術進行生產，從而滿足不同的市場需求。

目前的比較成熟的SiP技術主要是堆疊封裝即POP封裝。現有的POP封裝中，主要有：

1.兩個獨立的封裝體通過焊球來實現電性連接及外部PCB板的連接。但是該方案的缺點主要是由于上下2個獨特的封裝體的結構差異，可能會影響焊球連接結構的可靠性。

2.WB(打線)的形式通過金屬打線來連接兩芯片間的焊墊，最后將打線引到基板上。但是該方案的缺點主要是通過打線方式進行連接，這樣就存在導線過長、單一導線所需的彎折點變多，以及導線之間的交錯排列而相對提高了耗材成本，可靠性不高，同時，也不利于整體尺寸的微型化設計趨勢。

3.通過干法刻蝕或者激光打孔的方式形成TSV(硅通孔)，以TSV來連接各層芯片。但是該方案的缺點主要是TSV難度大，成本高。

實用新型內容

本實用新型需要解決的技術問題是提供了集成封裝結構，以解決現有的 POP封裝焊球連接結構的可靠性差、耗材成本高、整體尺寸大、難度大的問題，以提高產品質量，節約生產成本。

為解決上述技術問題，本實用新型所采取的技術方案如下。

集成封裝結構，包括封裝設置在外圍對裝置整體進行高效密封的塑封層，塑封層的內部自下至上依次堆疊設置有第二芯片和基板；基板上開設有第一芯片放置窗和第二凸點放置窗，第一芯片放置窗內設置有填充層以及封裝在填充層內的第一芯片，第一芯片的上端設置有第一焊盤、與第一焊盤電性連接并穿過填充層的第一凸點以及與第一凸點電性連接并凸出塑封層的第一焊球；所述第二芯片的上端設置有第二焊盤、與第二焊盤電性連接并穿過第二凸點放置窗的第二凸點以及與第二凸點電性連接并凸出塑封層的第二焊球。

進一步優化技術方案，所述第二芯片的長度大于第一芯片的長度。

進一步優化技術方案，所述第二芯片與第一芯片之間設置有膠粘層。

由于采用了以上技術方案，本實用新型所取得技術進步如下。

本實用新型結構簡單、設計合理，通過在基板上封裝設置第一芯片和第二芯片，并在第一芯片上設置第一焊球，在第二芯片上設置第二焊球的方式，使得本實用新型快速高效地進行封裝作業，且封裝后的厚度很薄，封裝十分方便、成本低廉，封裝后的可靠性很高。

附圖說明