[實用新型]晶圓處理裝置有效
| 申請號: | 201821346346.7 | 申請日: | 2018-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN208674080U | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發明(設計)人: | 喻澤鋒;周冬成;吳宗祐;林宗賢 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;董琳 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空管路 晶圓處理裝置 抽真空單元 處理腔室 波紋管 真空泵 氣體濃度檢測儀 本實用新型 處理裝置 準確檢測 支管路 檢測 漏氣 漏檢 微漏 種晶 連通 | ||
1.一種晶圓處理裝置,其特征在于,包括:
處理腔室;
抽真空單元,所述抽真空單元包括真空泵以及連接所述真空泵與處理腔室的真空管路,所述真空管路包括至少一段波紋管;
氣體濃度檢測儀,用于檢測特定氣體的濃度,通過一支管路連通至所述真空管路,用于對所述真空管路內的特定氣體濃度進行檢測。
2.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,還包括:控制單元,連接至所述處理腔室,用于控制所述處理腔室內的處理工藝;所述氣體濃度檢測儀還與所述控制單元之間具有通信連接,用于向所述控制單元發送特定氣體濃度的檢測結果。
3.根據權利要求2所述的晶圓處理裝置,其特征在于,當所述氣體濃度檢測儀檢測到的特定氣體濃度含量超出閾值時,所述控制單元用于停止所述處理腔室內的處理工藝。
4.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述真空管路上設置有真空閥,用于控制所述真空管路的通斷。
5.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述真空管路上還設置有壓力計。
6.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述支管路與真空管路的連接處位于所述波紋管與真空泵之間。
7.根據權利要求6所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述連接處與波紋管之間的距離小于所述連接處與真空泵之間的距離。
8.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述氣體濃度檢測儀為氧氣濃度檢測儀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





