[實用新型]一種芯片邊緣結構

有效

• 申請號: 201821326171.3
• 申請日: 2018-08-16
• 公開（公告）號: CN208460745U
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 陳偉鈿;周永昌;張永杰;李浩南
• 申請（專利權）人: 飛锃半導體（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 宋建平

1.一種芯片邊緣結構，其特征在于，包括：

邊緣主體結構層；

鈍化層，沿預設方向設置在所述邊緣主體結構層的表面，并且所述鈍化層具有至少一個凹陷區；

有機膜層，沿所述預設方向設置在所述鈍化層的表面，并且填充每個所述凹陷區。

2.根據權利要求1所述的芯片邊緣結構，其特征在于，所述邊緣主體結構層包括：

襯底；

外延層，沿所述預設方向設置在所述襯底的表面上；

摻雜結區，設置在所述外延層的表面區域中，并且從所述外延層的表面朝向所述襯底方向延伸；

層間電介質，沿所述預設方向設置在所述外延層的一部分表面上，并與所述摻雜結區接觸；

頂部金屬層，沿所述預設方向設置在所述摻雜結區的表面上，并與所述層間電介質接觸，使得所述層間電介質的至少一部分沿所述預設方向夾置在所述摻雜結區與所述頂部金屬層之間。

3.根據權利要求2所述的芯片邊緣結構，其特征在于，所述鈍化層為等離子增強氮化物，所述層間電介質為等離子體增強原硅酸四乙酯。

4.根據權利要求2所述的芯片邊緣結構，其特征在于，每個所述凹陷區包括第一凹陷部與第二凹陷部，所述第一凹陷部與所述第二凹陷部連通，在垂直于所述預設方向的方向上，所述第二凹陷部的最大寬度大于所述第一凹陷部的最大寬度。

5.根據權利要求4所述的芯片邊緣結構，其特征在于，所述第二凹陷部與所述層間電介質接觸或延伸入所述層間電介質中。

6.根據權利要求4所述的芯片邊緣結構，其特征在于，所述鈍化層包括：

第一鈍化層，沿所述預設方向設置在所述邊緣主體結構層的表面上；

第二鈍化層，沿所述預設方向設置在所述第一鈍化層的表面上，其中，所述第二鈍化層設有所述第一凹陷部，所述第一鈍化層設有所述第二凹陷部。

7.根據權利要求6所述的芯片邊緣結構，其特征在于，所述第一鈍化層與所述層間電介質皆為等離子體增強原硅酸四乙酯，所述第二鈍化層為等離子增強氮化物。

8.根據權利要求2所述的芯片邊緣結構，其特征在于，所述襯底包括以下任一項：碳化硅襯底、硅襯底以及氮化鎵襯底。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的芯片邊緣結構，其特征在于，所述有機膜層包括聚酰亞胺層。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的芯片邊緣結構，其特征在于，每個所述凹陷區的平面圖案包括一行或多行的條帶狀圖案、虛線狀圖案或者點陣狀圖案。