[實用新型]一種采用蒸鍍氧化鋅透明導電膜的硅基異質結太陽能電池

有效

• 申請號: 201821325316.8
• 申請日: 2018-08-16
• 公開（公告）號: CN208753334U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 黃信二
• 申請（專利權）人: 研創應用材料（贛州）股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/074
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型涉及一種采用蒸鍍氧化鋅透明導電膜的硅基異質結太陽能電池，包括正面金屬化導線、正面氧化鋅系列透明導電膜、HJT電池非晶硅多層膜結構層、背面氧化鋅系列透明導電膜和背面金屬化導線,所述正面金屬化導線、正面氧化鋅系列透明導電膜、HJT電池非晶硅多層膜結構層、背面氧化鋅系列透明導電膜、背面金屬化導線從上到下依次連接；所述正面氧化鋅系列透明導電膜和背面氧化鋅系列透明導電膜為RPD蒸鍍氧化鋅系列材料的透明導電膜。本實用新型采用氧化鋅系列的氧化物其原料成本大幅降低、材料鍍率快增加產率、高薄膜透明度及膜層致密度高阻抗低，整體降低HJT電池的生產成本，有利于市場的推廣及產品的普及。

技術領域

本實用新型涉及一種薄膜技術的太陽能電池，尤其涉及一種采用蒸鍍氧化鋅透明導電膜的硅基異質結太陽能電池。

背景技術

近幾年，由于硅片、電池片和組件的產能不斷擴張，光伏發電成本也出現了實質性的下降。因此，降低集成成本（BOS）在整個光伏發電系統成本結構中的比例也變得更加重要，這意味著高效組件在降低系統成本的過程中將扮演著最重要的角色，因為它們在提供相同電量的情況下可以節約更多的BOS成本。在所有的太陽能電池技術中，研究硅基異質結（HJT）太陽能電池具有重要的意義，因為其具備轉換效率高(24.7%),結構簡單,制程溫度低(<250℃),工藝步驟少以及溫度系數低等優點。

與傳統的P型單晶/多晶太陽能電池相比，N型單晶襯底的HJT電池具有高效率、工藝簡單、無照光裂化（LID free）、無電壓裂化（PID free）、低溫度系數、高發電量、低光衰、低發電成本和雙面照光發電等特性，保證了光伏組件更可靠、電站建設成本更低和更長的使用壽命，非常適合分布式光伏應用，為下世代高效率電池主流技術之一。采用雙面異質結組件，在白色背景的反照下，可以多輸出>20%的電力。根據實地的測試，使用雙面的HJT組件比單面的HJT組件平均可多輸出28.9%的電力。

在制備HJT太陽能電池的過程中，PECVD在決定產品的性能方面扮演著最重要的角色。入光面所沉積的鈍化層為本征層（i）并在上面堆疊摻硼的（p）層，背面同樣沉積本征鈍化層（i）并堆疊摻磷的（n）層,表面鈍化層i/p和i/n的厚度都約為15～25nm。然后在正反兩面濺鍍上約60-150nm的透明導電膜(TCO),目前大都采用傳統的濺鍍ITO(銦錫氧化物)作為透明導電膜層(TCO)或者用RPD(Reactive Plasma Deposition)技術蒸鍍IWO(銦鎢氧化物)做透明導電膜,然后在透明導電膜上可以用絲印低溫銀漿的方式、或是采用濺鍍金屬薄膜的方式或者采用電鑄銅的方式來制作正反面的導線,這樣便完成一個HJT電池片的制作。

目前HJT正反兩面的透明導電膜的制作方式尚有成本較高的缺點，一般在正反兩面濺鍍上約60-150nm的透明導電膜(TCO),目前大都采用傳統的濺鍍ITO(銦錫氧化物)作為透明導電膜層(TCO)或者用RPD(Reactive Plasma Deposition)技術蒸鍍IWO(銦鎢氧化物)做透明導電膜,ITO靶材成型不易良率低及IWO靶材用更多的銦原料，因此兩者都成本居高不下。

實用新型內容

有鑒于此，提供一種采用蒸鍍氧化鋅透明導電膜的硅基異質結太陽能電池，其主要特點是RPD蒸鍍氧化鋅系列透明導電膜對非晶硅層損傷小、采用氧化鋅系列的氧化物其原料成本大幅降低、材料鍍率快增加產率、高薄膜透明度及膜層致密度高阻抗低，整體降低HJT電池的生產成本，有利于市場的推廣及產品的普及。

一種采用蒸鍍氧化鋅透明導電膜的硅基異質結太陽能電池，包括正面金屬化導線、正面氧化鋅系列透明導電膜、HJT電池非晶硅多層膜結構層、背面氧化鋅系列透明導電膜和背面金屬化導線；所述正面金屬化導線、正面氧化鋅系列透明導電膜、HJT電池非晶硅多層膜結構層、背面氧化鋅系列透明導電膜、背面金屬化導線從上到下依次連接；所述正面氧化鋅系列透明導電膜和背面氧化鋅系列透明導電膜為RPD蒸鍍氧化鋅系列材料的透明導電膜。