[實用新型]用于天線或顯示面板的柵極驅動單元及驅動電路有效
| 申請號: | 201821318440.1 | 申請日: | 2018-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN208970145U | 公開(公告)日: | 2019-06-11 |
| 發明(設計)人: | 雷東;修威;楊光 | 申請(專利權)人: | 北京華鎂鈦科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3266 | 分類號: | G09G3/3266;G09G3/36;H01Q3/24;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 北京慶峰財智知識產權代理事務所(普通合伙) 11417 | 代理人: | 王文群 |
| 地址: | 100094 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 柵極驅動單元 天線 本實用新型 反向輸入 驅動電路 輸入模塊 下拉模塊 顯示面板 電容 上拉 正向 邊框 顯示面板驅動 空間利用率 和面板 良品率 功耗 減小 電路 | ||
本實用新型公開了用于天線或顯示面板的柵極驅動單元及驅動電路,包括正向輸入模塊、反向輸入模塊、上拉模塊及下拉模塊,正向輸入模塊包括第一薄膜晶體管M1,反向輸入模塊包括第二薄膜晶體管M2,上拉模塊包括第三薄膜晶體管M3和第一電容C1,下拉模塊包括第四薄膜晶體管M4、第五薄膜晶體管M5、第六薄膜晶體管M6以及第二電容C2。本實用新型通過采用上述結構,減小了天線或者顯示面板驅動電路的大小和面板邊框的寬度,提高了面板的空間利用率,增大了產品的良品率,降低了柵極驅動單元的功耗,并在一定程度上提升了系統的可靠性。
技術領域
本實用新型屬于薄膜晶體管或天線或顯示技術領域,具體涉及一種柵極驅動單元、驅動方法、驅動電路、天線及顯示裝置。
背景技術
隨著工藝、設備、材料等技術的不斷發展,薄膜晶體管技術(TFT:ThinFilmTransistor)不斷突破技術限制、簡化制造工藝以降低成本,同時不斷有新的技術被引入TFT驅動電路設計中,其具有的低功耗、快速響應、高分辨率、窄邊框等優點,不但更好地滿足了顯示面板領域的應用需求,也為新型平面可重構相控陣天線設計制造提供了新思路。
以液晶顯示和OLED顯示為代表的顯示器,是由RGB三個亞像素單元組成的像素單元,在平面內周期性排列形成的二維矩陣。顯示矩陣的水平和豎直方向分別為Gate線和Data線。其中的電視信號,在經過一些列數據轉換之后,輸入到每一條Data線。而每一行Gate線則需要專門的驅動控制電路,控制其上的TFT處于開啟或關閉狀態,從而配合電視信號的輸入。在顯示技術發展的早期,Gate線的驅動電路(柵極驅動電路)是由專門的驅動IC來完成的。
一種新型平面可重構相控陣天線具有類似上述顯示結構的天線陣列。新型平面可重構相控陣天線包括具有一個或多個天線單元的天線陣列,天線單元可以為PIN二極管單元、變容二極管單元、液晶單元、MEMS單元、等離子體單元或者其他;通過控制不同的天線單元工作狀態,新型平面可重構相控陣天線可形成不同的輻射方向圖,并可實現波束的電控掃描。陣列中的每一個天線單元(可以為PIN二極管單元、變容二極管單元、液晶單元、MEMS單元、等離子體單元或者其他)類似于顯示器件中的每一個像素。在天線工作的時候,需要對每一個天線單元,進行類似顯示技術中的驅動方式。即,通過柵極驅動單元(GOA)電路實現對每一行天線單元的開啟或關閉,并逐行進行掃描。在每行的天線單元開啟后,通過Data線,對每一個天線單元上輸入相應的控制信號控制天線單元的工作狀態。
隨著薄膜晶體管制造工藝技術的不斷進步,目前的生產工藝可以實現將天線或面板的柵極驅動電路直接制造在玻璃等介質基板上。這可以在一定程度上降低面板的成本。也可以在一定程度上減小面板兩側邊框的寬度。這樣制造的驅動電路是由一個個相同的驅動單元(GOA單元)通過一定方式連接而成的。
因此,GOA單元中TFT的數量,將決定天線或顯示面板驅動電路的大小,面板邊框的寬度以及產品的良品率。但現有GOA電路設計需要的TFT數目相對較多,占據的空間相對較大,會在一定程度上影響產品生產過程中的良品率。
實用新型內容
為了克服現有技術的不足,本實用新型提出一種柵極驅動單元、驅動方法、驅動電路、天線及顯示裝置,解決現有GOA電路需要的TFT數目較多,空間占有率相對較大,生產過程中的良品率把控,及產品功耗等問題。
本實用新型為實現上述目的,采用以下技術方案實現:
一種柵極驅動單元,包括正向輸入模塊、反向輸入模塊、上拉模塊及下拉模塊,所述正向輸入模塊包括第一薄膜晶體管M1,所述反向輸入模塊包括第二薄膜晶體管,所述上拉模塊包括第三薄膜晶體管M3和第一電容C1,所述下拉模塊包括第四薄膜晶體管M4、第五薄膜晶體管M5、第六薄膜晶體管M6以及第二電容C2,所述第一薄膜晶體管M1的柵極作為信號輸入端,第一薄膜晶體管M1的漏極與第一電源端相連,第一薄膜晶體管M1的源極與第二薄膜晶體管M2的漏極相連;
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