[實用新型]鍵合晶圓拆片裝置有效
| 申請號: | 201821314927.2 | 申請日: | 2018-08-15 |
| 公開(公告)號: | CN208738182U | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發明(設計)人: | 韓斌;辛君;林宗賢;吳龍江 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 鍵合 本實用新型 氣體噴射裝置 晶圓邊緣 片裝置 真空吸附固定 真空吸附裝置 機械應力 真空吸附 真空吸盤 鍵合面 吹掃 裂片 引入 | ||
1.一種鍵合晶圓拆片裝置,用于將鍵合的底部晶圓及頂部晶圓拆分分離,其特征在于,包括:
支撐并真空吸附所述底部晶圓的底部真空吸盤,位于所述底部晶圓的下方;
真空吸附所述頂部晶圓的頂部真空吸附裝置,所述底部晶圓與所述頂部晶圓拆分分離時,所述頂部真空吸附裝置位于所述頂部晶圓的上方,且吸附所述頂部晶圓遠離所述底部晶圓的表面。
2.根據權利要求1所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述頂部真空吸附裝置包括:
真空吸附所述頂部晶圓的頂部真空吸盤;
連接并提拉所述頂部真空吸盤的提升裝置。
3.根據權利要求2所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述鍵合晶圓拆片裝置還包括當所述頂部真空吸盤的真空度大于設定值時,控制所述提升裝置提拉所述頂部真空吸盤的控制裝置,所述控制裝置與所述提升裝置相連接。
4.根據權利要求3所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述控制裝置包括:
設定所述設定值,并將所述頂部真空吸盤的真空度與所述設定值進行比對的設定比對單元;
當所述頂部真空吸盤的真空度大于設定值時驅動所述提升裝置提拉所述頂部真空吸盤的驅動單元,與所述設定比對單元及所述提升裝置相連接。
5.根據權利要求4所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述提升裝置包括:
可動懸臂,活動連接于所述頂部真空吸盤頂部;
若干個可伸縮拉桿,一端與所述可動懸臂相連接,另一端與所述頂部真空吸盤的邊緣區域相連接。
6.根據權利要求5所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述可動懸臂經由一轉軸活動連接于所述頂部真空吸盤的頂部中心區域。
7.根據權利要求5所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述鍵合晶圓拆片裝置還包括實時監測所述可伸縮拉桿的拉力的拉力感應器,位于所述可伸縮拉桿上;所述控制裝置還包括當所述可伸縮拉桿的拉力為零時控制所述驅動單元停止工作的控制單元,所述控制單元與所述拉力感應器及所述驅動單元相連接。
8.根據權利要求1所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述鍵合晶圓拆片裝置還包括:在所述底部晶圓與所述頂部晶圓拆分分離時向所述底部晶圓與所述頂部晶圓的鍵合面噴射氣流的氣體噴射裝置,位于所述底部晶圓及所述頂部晶圓一側。
9.根據權利要求8所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述氣體噴射裝置包括氮氣噴射裝置或惰性氣體噴射裝置。
10.根據權利要求8所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述氣體噴射裝置包括:
可動基座;
連接桿,位于所述可動基座上;
氣體源;
氣體噴嘴,鉸接于所述連接桿上,所述氣體噴嘴經由一氣體管路與所述氣體源相連接。
11.根據權利要求10所述的鍵合晶圓拆片裝置,其特征在于,所述連接桿豎直固定于所述可動基座上;向所述底部晶圓與所述頂部晶圓的鍵合面噴射氣流時,所述氣體噴嘴與所述連接桿相垂直。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





