[實用新型]IGBT功率組件有效
| 申請號： | 201821314696.5 | 申請日： | 2018-08-15 |
| 公開（公告）號： | CN208460744U | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發明（設計）人： | 李彥瑩;路笑;楊小川 | 申請（專利權）人： | 華潤微電子（重慶）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 401331 重慶市*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 覆銅陶瓷基板 封裝 本實用新型 上表面 抗震能力 空洞率 上蓋板 下蓋板 焊接工藝 散熱效果 易碎 燒結 陶瓷片 散熱 焊接 | ||
1.一種IGBT功率組件，其特征在于，包括：
封裝下蓋板；
覆銅陶瓷基板，位于所述封裝下蓋板的上表面；
IGBT芯片，位于所述覆銅陶瓷基板的上表面；
封裝上蓋板，位于所述IGBT芯片的上表面。
2.根據權利要求1所述的IGBT功率組件，其特征在于：所述覆銅陶瓷基板包括基板主體和一端與所述基板主體相連接的多個管腳，多個所述管腳平行間隔排布在所述基板主體的同一側。
3.根據權利要求2所述的IGBT功率組件，其特征在于：所述覆銅陶瓷基板的基板主體的尺寸小于所述封裝下蓋板的尺寸。
4.根據權利要求1所述的IGBT功率組件，其特征在于：所述封裝下蓋板、覆銅陶瓷基板及所述封裝上蓋板上均設置有通孔，所述封裝下蓋板的通孔的中心點、所述覆銅陶瓷基板的通孔的中心點及所述封裝上蓋板的通孔的中心點位于同一直線上。
5.根據權利要求4所述的IGBT功率組件，其特征在于：所述IGBT芯片位于所述覆銅陶瓷基板表面未設置有所述通孔的區域。
6.根據權利要求4所述的IGBT功率組件，其特征在于：所述封裝上蓋板上還包括兩個半圓孔，兩個所述半圓孔位于所述封裝上蓋板相對的兩側，且兩個所述半圓孔的開口方向朝向遠離所述通孔的方向。
7.根據權利要求6所述的IGBT功率組件，其特征在于：所述封裝上蓋板的兩個所述半圓孔的中心點與所述封裝上蓋板的所述通孔的中心點位于同一條直線上。
8.根據權利要求1所述的IGBT功率組件，其特征在于：所述IGBT功率組件還包括散熱器，所述散熱器位于所述覆銅陶瓷基板和所述封裝下蓋板之間。
9.根據權利要求1所述的IGBT功率組件，其特征在于：所述覆銅陶瓷基板的厚度介于2～2.5mm之間。
10.根據權利要求1至9任一項所述的IGBT功率組件，其特征在于：所述IGBT芯片燒結焊接于所述覆銅陶瓷基板的上表面。
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