[實用新型]具有通孔的濾波器裸晶的多芯片封裝模塊結構

有效

• 申請號: 201821313721.8
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN208923114U
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 付偉
• 申請（專利權）人: 付偉
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L25/00;H01L21/52
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

1.一種具有通孔的濾波器裸晶的多芯片封裝模塊結構，其特征在于，包括：

封裝基板，具有相對設置的基板上表面及基板下表面，所述封裝基板具有若干通孔，且所述基板下表面的一側具有若干外部引腳；

功能芯片，設置于所述封裝基板的上方，所述功能芯片具有相對設置的第一上表面及第一下表面，所述第一下表面與所述基板上表面面對面設置，且所述第一下表面具有若干第一電極；

濾波器芯片，設置于所述封裝基板的上方，所述濾波器芯片具有相對設置的第二上表面及第二下表面，所述第二下表面與所述基板上表面面對面設置，且所述第二下表面具有若干第二電極；

若干互連結構，用于經由若干通孔而導通若干第一電極、若干第二電極及若干外部引腳，所述互連結構包括金屬柱、焊錫及電鍍層結構，所述金屬柱設置于所述第一電極及所述第二電極的下方，所述電鍍層結構導通所述外部引腳，所述焊錫用于導通所述金屬柱及所述電鍍層結構。

2.根據權利要求1所述的多芯片封裝模塊結構，其特征在于，所述電鍍層結構包括覆蓋于所述通孔內壁并往所述基板上表面、所述基板下表面方向延伸的電鍍層，所述電鍍層的上表面與所述第一電極/所述第二電極之間通過所述焊錫連接，所述焊錫連接所述第一電極/所述第二電極，且所述焊錫包覆所述金屬柱并往所述通孔方向延伸而導通所述通孔內壁的所述電鍍層。

3.根據權利要求2所述的多芯片封裝模塊結構，其特征在于，所述電鍍層結構還包括連接于所述電鍍層下方的下重布線層，所述多芯片封裝模塊結構還包括包覆所述電鍍層及所述焊錫的第一絕緣層以及包覆所述第一絕緣層及所述下重布線層的第二絕緣層，所述下重布線層經過所述第二絕緣層上的孔洞導通所述電鍍層并往所述第二絕緣層的下表面方向延伸，所述外部引腳連接所述下重布線層，且所述第二絕緣層暴露所述外部引腳。

4.根據權利要求1所述的多芯片封裝模塊結構，其特征在于，所述多芯片封裝模塊結構還包括圍堰，所述圍堰與所述第二下表面及所述基板上表面配合而圍設形成空腔。

5.根據權利要求4所述的多芯片封裝模塊結構，其特征在于，所述圍堰包括第一圍堰及第二圍堰，所述第一圍堰位于對應所述濾波器芯片的所述通孔的內側，所述第一圍堰與所述第二下表面及所述基板上表面配合而圍設形成空腔，所述第二圍堰填充所述第一下表面/所述第二下表面與所述基板上表面之間的其他區域。

6.根據權利要求5所述的多芯片封裝模塊結構，其特征在于，對應所述濾波器芯片的若干通孔圍設形成的內輪廓連接所述第一圍堰，對應所述濾波器芯片的若干通孔圍設形成的外輪廓連接所述第二圍堰，所述第一圍堰與所述第二圍堰相互連通。

7.根據權利要求5所述的多芯片封裝模塊結構，其特征在于，所述第二圍堰朝遠離所述第一圍堰的方向延伸直至所述第二圍堰的外側緣與所述封裝基板的外側緣齊平。

8.根據權利要求5所述的多芯片封裝模塊結構，其特征在于，所述多芯片封裝模塊結構還包括位于所述封裝基板遠離所述基板下表面的一側的塑封層，所述塑封層同時包覆所述第二圍堰暴露在外的上表面區域、所述濾波器芯片及所述功能芯片。

9.根據權利要求1所述的多芯片封裝模塊結構，其特征在于，所述濾波器芯片與所述功能芯片相互間隔分布。