[實用新型]一種低功耗的SAR ADC電容陣列有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821312313.0 | 申請日： | 2018-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN208581221U | 公開（公告）日： | 2019-03-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 顧曉峰;劉康生;虞致國 | 申請（專利權）人： | 江南大學 |
| 主分類號： | H03M1/46 | 分類號： | H03M1/46 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214122 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容陣列 電容 次高位 下極板 低位 補償電容 低功耗 本實用新型 比較器 上極板 集成電路技術 并聯(lián)電容 差分電容 反向輸入 轉換過程 功耗 正向 | ||
1.一種低功耗的SAR ADC電容陣列，其特征在于：包括P端高位拆分電容（1）、N端高位拆分電容（2）、P端次高位電容陣列（3）、N端次高位電容陣列（4）、P端低位補償電容（5）和N端低位補償電容（6）；所述P端高位拆分電容（1）、P端次高位電容陣列（3）和P端低位補償電容（5）的上極板均通過開關KP連接比較器的正向輸入VIP；所述N端高位拆分電容（2）、N端次高位電容陣列（4）和N端低位補償電容（6）的上極板均通過開關KN連接比較器反向輸入VIN；所述P端高位拆分電容（1）的下極板連接控制開關SMP1、SMP2，所述P端次高位電容陣列（3）的下極板連接控制開關SPn-3……SP1；所述N端高位拆分電容（2）的下極板連接控制開關SMN1、SMN2，所述N端次高位電容陣列（4）的下極板連接控制開關SNn-3……SN1；
所述P端低位補償電容（5）包括P端第一低位補償電容和P端第二低位補償電容，所述P端第一低位補償電容的上極板通過開關SPa連接比較器的正向輸入VIP，下極板接參考電壓GND端，所述P端第二低位補償電容上極板接比較器的正向輸入VIP，下極板接參考電壓VREF；所述N端低位補償電容（6）包括N端第一低位補償電容和N端第二低位補償電容，所述N端第一低位補償電容的上極板通過開關SNa連接比較器的反向輸入VIN，下極板接參考電壓GND端，所述N端第二低位補償電容上極板接比較器的反向輸入VIN，下極板接參考電壓VREF。
2.如權利要求1所述的一種低功耗的SAR ADC電容陣列，其特征在于：所述P端高位拆分電容（1）由電容CMP1和電容CMP2并聯(lián)組成，所述N端高位拆分電容（2）由電容CMN1和電容CMN2并聯(lián)組成，所述P端次高位電容陣列（3）由電容CP1、CP2……CPn-4、CPn-3并聯(lián)構成的二進制電容陣列，N端高位拆分電容（2）所述N端次高位電容陣列（4）由電容CN1、CN2……CNn-4、CNn-3并聯(lián)構成的二進制電容陣列，所述P端低位補償電容（5）的P端第一低位補償電容由電容Ca1和電容Ca2串聯(lián)組成，P端第二低位補償電容由電容C01和電容C02串聯(lián)組成，所述N端低位補償電容（6）的N端第一低位補償電容由電容Cb1和電容Cb2串聯(lián)組成，N端第二低位補償電容由電容C03和電容C04串聯(lián)組成。
3.如權利要求2所述的一種低功耗的SAR ADC電容陣列，其特征在于：所述P端第二低位補償電容的電容C01和電容C02間通過開關SP0連接參考電壓VREF，所述N端第二低位補償電容的電容C03和C04間通過開關SN0連接參考電壓VREF。
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