[實用新型]一種超低損耗雙路電源切換防倒灌電路有效
| 申請號: | 201821304874.6 | 申請日: | 2018-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN208571700U | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發明(設計)人: | 陳石平;陳順清;鄭彩霞;彭進雙;談書才 | 申請(專利權)人: | 廣州奧格智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H02J9/06 | 分類號: | H02J9/06 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 510520 廣東省廣州市天河區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 漏極 雙路電源 電路 本實用新型 超低損耗 電阻連接 柵極連接 源極 靜態電流損耗 組合開關電路 前級電路 無縫切換 源極連接 電池 | ||
本實用新型公開了一種超低損耗雙路電源切換防倒灌電路,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一PMOS管的漏極連接第三PMOS管的源極,第一PMOS管的源極連接第二PMOS管的源極,第一PMOS管的柵極連接第四PMOS管的漏極,第二PMOS管的漏極的接電池,第二PMOS管的柵極連接第三PMOS管的漏極,第三PMOS管的柵極通過第三電阻連接第一NMOS管的漏極,第四PMOS管的柵極通過第四電阻連接第二NMOS管的漏極。本實用新型有益效果:本電路具有雙路電源無縫切換、防止倒灌功能,可以保護前級電路;具有非常低的損耗,靜態電流損耗為微安級,使用NMOS+PMOS組合開關電路,電路簡單,成本很低,實用性強。
技術領域
本實用新型涉及雙路電源切換電路防倒灌技術領域,尤其是一種超低損耗雙路電源切換防倒灌電路。
背景技術
用其他輔助電源如充電寶、墻上適配器等。對于那些采用了一個墻上適配器或其他輔助電源的應用,當輔助電源接入時,負載將自動地與電池斷接。因此需要一種電源切換電路,在輸入電源之間進行選擇,使功率效率達到最佳,減少功耗,延長電池工作時間,特別是一種超低功耗的電源切換電路,并具有防倒灌,保護前級電路。這實現了兩個電源的高效“或”操作,旨在延長電池的使用壽命和減少自發熱。
雙二極管方案:使用兩種二極管分別串接在電源上,電路簡單,實現邏輯“或”功能,可以在電池和適配器之間進行選擇,當電壓通過二極管時有壓降,電源高的優先被使用,其缺陷是二極管大約有0.6V的壓降,電壓降會隨著輸入電流成比例的功率損耗。隨著電流增大,壓降也會變大,如用肖特基二極管取代可以降低功率,但是功率損耗仍舊比較大:以肖特基二極管SS54為例,電流 0.1A、1A、10A、20A對應的壓降分別為0.3V、0.4V、0.85V、1.4V,對應的損耗分別為0.03W、0.4W、8.5W、28W,意味著通過電流越大,損耗也越大。肖特基二極管缺點是反向電壓超過閾值時存在反向電流,一般為毫安級,反向過壓時不具有防倒灌功能,因此靜態電流一般為毫安級。
二極管+PMOS管方案:如發明專利(一種多輸入電源切換電路,申請號:CN201410700845.1),肖特基二極管串接在Vbus上,電池Vbat使用PMOS管進行控制供電,由上述知二極管壓降損耗大;PMOS管以irfb7440pbf為例,典型值RDS(ON)為2mΩ,取RDS(ON)=2mΩ,電流0.1A、1A、10A、20A對應的壓降分別為0.2mV、2mV、20mV、40mV,對應的損耗分別為0.02mW、2mW、0.2W、0.8W,顯而易見,使用MOS管方案損耗下降非常大,約為肖特基二極管損耗的幾十分之一。
三極管+MOS管方案:如發明專利(電源切換及補償的裝置和方法,申請號:CN200410039550.0),兩路電源均使用三極管控制MOS管對設備供電,其中一路還需要增加額外的第三種高壓電源控制MOS管,顯然三極管的偏置電阻為千歐姆級,其靜態工作電流毫安級。不足之處三極管的靜態工作電流毫安級,電流損耗很大,且需要使用的第三種高壓電源。
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