[實用新型]等離子體發生裝置和半導體處理設備

有效

• 申請號: 201821303067.2
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN208434160U
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發明（設計）人: 李垚;陳伏宏;易飛;劉家樺;葉日銓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H05H1/26
• 分類號: H05H1/26
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;董琳

本實用新型涉及一種等離子體發生裝置和一種半導體處理設備，所述等離子體發生裝置包括：微波發生裝置；石英管，自所述微波發生裝置內穿過；所述石英管兩端均連接至旋轉接頭，用于通過所述旋轉接頭連通至氣體管路；所述旋轉接頭包括固定部和旋轉部，所述旋轉部與所述石英管端部連接使得所述石英管可旋轉，所述固定部用于連接至氣體管路。所述微波發生裝置的石英管壽命較長。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種等離子體發生裝置和半導體設備。

背景技術

在很多半導體處理設備中，經常會采用微波發生裝置將工藝氣體電離產生等離子體。例如等離子體刻蝕設備。

請參考圖1，為現有技術的等離子體發生裝置的結構示意圖。反應氣體通常通過一石英管101通入半導體處理設備的腔室內，微波發生裝置102設置于石英管外部，微波作用在石英管101內的氣體，將氣體電離，以達到產生等離子體的目的。但是微波發生裝置102通常在石英管的一側產生微波，例如，微波自上向下到達石英管101處，所以，在石英管101上部的微波分布密度會遠大于石英管的下部，這就會導致在石英管101內的等離子體濃度在微波密度較大的石英管上部大于石英管下部。反應氣體對于石英管也會產生一定的腐蝕作用，由于石英管上部的等離子體濃度大于下部的等離子體濃度，因此，石英管101上部分的腐蝕往往會高于下部，當石英管101被腐蝕到一定程度之后，就會有破漏的風險。

如何延長石英管的使用壽命，是目前需要解決的問題。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種等離子體發生裝置和半導體處理設備，以提高半導體設備的正常運行時間。

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種等離子體發生裝置，包括：微波發生裝置；石英管，自所述微波發生裝置內穿過；所述石英管兩端均連接至旋轉接頭，用于通過所述旋轉接頭連通至氣體管路；所述旋轉接頭包括固定部和旋轉部，所述旋轉部與所述石英管端部連接使得所述石英管可旋轉，所述固定部用于連接至氣體管路。

可選的，所述旋轉接頭包括外管和內管，所述外管作為固定部，所述內管作為旋轉部；所述外管在氣體流通方向上具有第一端和第二端，所述外管的第一端用于連接至氣體管路；所述內管同軸套嵌于所述外管內，所述內管的一端自所述外管的第二端伸出連接至石英管的端部；所述內管與外管的管壁之間具有密封腔，所述密封腔內設置有滾珠，便于所述內管旋轉。

可選的，還包括：馬達，所述馬達通過傳動部件連接至所述石英管，用于通過所述傳動部件帶動所述石英管轉動。

可選的，所述傳動部件為皮帶。

可選的，還包括：控制單元，用于控制所述馬達的轉速。

可選的，還包括：手動控制部，固定至所述石英管，用于手動控制石英管的旋轉。

可選的，所述微波發生裝置包括微波發生單元，所述微波發生單元位于石英管的一側。

本實用新型的技術方案還提供一種半導體處理設備，包括：上述等離子體發生裝置。

本實用新型的等離子體發生裝置的石英管能夠進行旋轉，使得石英管內產生的等離子體濃度均勻，使得石英管壁各位置處受到的等離子體腐蝕均勻，從而延長石英管的使用壽命。由于所述石英管的壽命較長，使得具有該等離子體發生裝置的半導體處理設備的正常工作時間較長，可以提高產率。

附圖說明

圖1為現有技術的等離子體發生裝置的結構示意圖；

圖2為本實用新型一具體實施方式的等離子體發生裝置的結構示意圖；

圖3為本實用新型一具體實施方式的等離子體發生裝置的結構示意圖；

圖4為本實用新型一具體實施方式的等離子體發生裝置的結構示意圖；