[實(shí)用新型]一種X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍頻器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821302597.5 | 申請日: | 2018-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN208754244U | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉波;羅力偉;王祁鈺 | 申請(專利權(quán))人: | 四川益豐電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03B19/14 | 分類號: | H03B19/14;H03F1/56;H03F3/16 |
| 代理公司: | 北京中索知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11640 | 代理人: | 房立普 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 倍頻器 本實(shí)用新型 輸出放大器 緩沖器 外電路 輸出端連接 輸入端連接 核心芯片 匹配結(jié)構(gòu) 輸出頻率 諧波信號 依次串聯(lián) 儀器儀表 應(yīng)用程序 主動成像 阻抗匹配 輸出端 輸入端 倍頻 雷達(dá) 通信 應(yīng)用 | ||
本實(shí)用新型公開了一種X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍頻器,包括四倍倍頻器、緩沖器、二倍倍頻器、輸出放大器,所述四倍倍頻器、緩沖器、二倍倍頻器、輸出放大器依次串聯(lián)連接,所述四倍倍頻器的輸入端連接外電路的輸出端,所述輸出放大器的輸出端連接外電路的輸入端;本實(shí)用新型采用特殊匹配結(jié)構(gòu),在完成阻抗匹配的同時,兼顧提供直流及抑制非目標(biāo)諧波信號;本實(shí)用新型提供的核心芯片倍頻次數(shù)高、輸出頻率高,可廣泛應(yīng)用與雷達(dá)、通信、儀器儀表應(yīng)用程序以及被動或主動成像。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及無線通信領(lǐng)域,具體地,涉及一種X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍頻器。
背景技術(shù)
根據(jù)頻率劃分,毫米波一般是指的波長介于1mm-10mm的電磁波,其中W波段是毫米波中的重要頻段,隨著無線通信的發(fā)展,W波段高次倍頻器得到了廣泛的應(yīng)用,應(yīng)用范圍包括該波段的雷達(dá)/基站信號收發(fā)系統(tǒng)、測試儀表儀器等。在此前提下,人們對倍頻器芯片提出了越來越高的要求,如超寬帶、高次倍頻、高諧波抑制度、低功耗和小型化等。
倍頻器芯片(FM,F(xiàn)requency Multiplier)是用作各類信號源模塊或系統(tǒng)的信號頻率倍增的器件,無論作為單獨(dú)工作倍頻器件還是集成于大型復(fù)雜信號源系統(tǒng)中,均起著核心作用。應(yīng)用于雷達(dá)、基站、儀表儀器等產(chǎn)品。因此,高次倍頻、高性能的倍頻器芯片,對于提高系統(tǒng)性能起到了關(guān)鍵性的作用。
實(shí)用新型內(nèi)容
針對上述問題,本實(shí)用新型提供一種X波段到W波段的高性能GaAs8倍倍頻器,
本實(shí)用新型采用下述的技術(shù)方案:
一種X波段到W波段的高性能GaAs八倍倍頻器,包括四倍倍頻器、緩沖器、二倍倍頻器、輸出放大器,所述四倍倍頻器、緩沖器、二倍倍頻器、輸出放大器依次串聯(lián)連接,所述四倍倍頻器的輸入端連接外電路的輸出端,所述輸出放大器的輸出端連接外電路的輸入端;
所述四倍倍頻器包括輸入匹配電路、第一場效應(yīng)管,所述輸入匹配電路和第一場效應(yīng)管的柵端串聯(lián)連接;所述緩沖器包括第一級級間匹配電路、第二場效應(yīng)管,所述第一級級間匹配電路和第二場效應(yīng)管的柵端串聯(lián)連接;所述二倍倍頻器包括第二級級間匹配電路、第三場效應(yīng)管,所述第二級級間匹配電路和第三場效應(yīng)管的柵端串聯(lián)連接;所述輸出放大器包括第三級級間匹配電路、第四場效應(yīng)管、第四級級間匹配電路、第五場效應(yīng)管、第五級級間匹配電路、第六場效應(yīng)管、輸出匹配電路,所述第三級級間匹配電路、第四場效應(yīng)管、第四級級間匹配電路、第五場效應(yīng)管、第五級級間匹配電路、第六場效應(yīng)管依次串聯(lián)連接;
所述輸入匹配電路、第二級級間匹配電路的下端均設(shè)有柵端偏置電路,所述第一場效應(yīng)管、第二場效應(yīng)管、第三場效應(yīng)管、第四場效應(yīng)管、第五場效應(yīng)管、第六場效應(yīng)管的漏端均設(shè)有漏端偏置電路,源極均接地。
優(yōu)選的,所述柵端偏置電路包括R1電阻、電阻R2、微帶線M1、電容C1、電容C2、電容C3,所述R1電阻、電阻R2、微帶線M1串聯(lián)連接,R1電阻上端連接Vg端,所述電容C1、電容C2并聯(lián)連接后左端連接在R1電阻和電阻R2之間的連接線路上,右端接地,所述電容C3左端連接R2下端,右端接地,所述微帶線M1的下端連接輸入匹配電路、第二級級間匹配電路。
優(yōu)選的,所述漏端偏置電路包括電阻R3、電阻R4、電阻R5、微帶線M2、電容C4、電阻R6、電容C5、電容C6,所述電阻R3、電阻R4、電阻R5、微帶線 M2依次串聯(lián)連接,R3的上端連接Vd端,微帶線M2的下端連接述第一場效應(yīng)管、第二場效應(yīng)管、第三場效應(yīng)管、第四場效應(yīng)管、第五場效應(yīng)管、第六場效應(yīng)管的漏端,所述電容C4和電阻R6串聯(lián)連接后與電容C5并聯(lián),所述電容C4、電容 C5的左端均連接在電阻R3和電阻R4之間的連接線路上,所述電容C5、電阻R6的右端均接地,所述電容C6的左端連接在電阻R4和電阻R5之間的連接線路上, C6的右端接地。
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