[實用新型]一種高性能的寬帶有源雙平衡混頻器

有效

• 申請號: 201821302536.9
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN208754245U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 王桐;羅力偉;王祁鈺
• 申請（專利權）人: 四川益豐電子科技有限公司
• 主分類號: H03D7/14
• 分類號: H03D7/14
• 代理公司: 北京中索知識產權代理有限公司 11640
• 代理人: 房立普

1.一種高性能的寬帶有源雙平衡混頻器，其特征在于，濾波單元、混頻單元、放大單元、輸入端RF、本振輸入端LO、供電端VDD、GND端、中頻輸出端IF，所述混頻單元中包括場效應管Q1(21)、場效應管Q2(22)、場效應管Q3(23)、場效應管Q4(24)、場效應管Q5(25)、場效應管Q6(26)，所述場效應管Q1(21)、場效應管Q2(22)的柵極均連接輸入端RF，源極連接GND端，漏極分別連接場效應管Q3(23)、場效應管Q4(24)和場效應管Q5(25)、場效應管Q6(26)的源極；所述場效應管Q3(23)、場效應管Q5(25)的漏極均連接供電端VDD，場效應管Q4(24)、場效應管Q6(26)的漏極均連接濾波單元的輸入端，濾波單元的輸出端連接放大單元的輸入端，場效應管Q4(24)、場效應管Q5(25)的柵極連接GND端，場效應管Q3(23)、場效應管Q6(26)的柵極連接本振輸入端LO；

所述放大單元包括場效應管Q7(27)、電容C1(20)，所述場效應管Q7(27)的柵極連接濾波單元的輸出端，場效應管Q7(27)的漏極連接供電端VDD，場效應管Q7(27)的源極連接GND端，所述電容C1(20)的右端接供電端VDD，左端連接中頻輸出端IF。

2.根據權利要求1所述的一種高性能的寬帶有源雙平衡混頻器，其特征在于，所述場效應管Q1(21)、場效應管Q2(22)、場效應管Q3(23)、場效應管Q4(24)、場效應管Q5(25)、場效應管Q6(26)、場效應管Q7(27)的漏極均分別設有匹配單元七、匹配單元八、匹配單元五、匹配單元二、匹配單元六、匹配單元三、匹配單元四，所述濾波單元的輸入端設有匹配單元一。

3.根據權利要求2所述的一種高性能的寬帶有源雙平衡混頻器，其特征在于，所述匹配單元七、匹配單元八、匹配單元五、匹配單元二、匹配單元六、匹配單元三、匹配單元四，匹配單元一均包括電容C2(1)、電阻R(2)、電容C3(3)，所述電容C2(1)、電阻R(2)、電容C3(3)相互并聯連接。

4.根據權利要求1所述的一種高性能的寬帶有源雙平衡混頻器，其特征在于，所述場效應管Q1(21)、場效應管Q2(22)、場效應管Q3(23)、場效應管Q4(24)、場效應管Q5(25)、場效應管Q6(26)、場效應管Q7(27)的柵極均分別設有偏置匹配單元五、偏置匹配單元六、偏置匹配單元二、偏置匹配單元三、偏置匹配單元七、偏置匹配單元四、偏置匹配單元一。

5.根據權利要求4所述的一種高性能的寬帶有源雙平衡混頻器，其特征在于，所述偏置匹配單元五、偏置匹配單元六、偏置匹配單元二、偏置匹配單元三、偏置匹配單元七、偏置匹配單元四、偏置匹配單元一包括電容C3(3)、微帶線M1(5)、微帶線M2(6)、電容C2(1)、電阻R(2)、電容C3(3)，所述微帶線M1(5)、微帶線M2(6)串聯連接，微帶線M1(5)、微帶線M2(6)之間的線路上設有電容C4(4)，所述電容C4(4)的上端接地，所述電容C2(1)、電阻R(2)、電容C3(3)相互并聯連接形成匹配單元，微帶線M2(6)的右端與匹配單元的輸入端連接。

6.根據權利要求1所述的一種高性能的寬帶有源雙平衡混頻器，其特征在于，所述濾波單元包括電容C5(7)、微帶線M3(8)、電容C6(9)微帶線M4(10)、電容C7(11)，所述電容C5(7)、微帶線M3(8)、電容C6(9)、微帶線M4(10)、電容C7(11)依次串聯連接。

7.根據權利要求3或5任意一項所述的一種高性能的寬帶有源雙平衡混頻器，其特征在于，所述電容C2(1)和電容C3(3)為同一規格的電容。

8.根據權利要求1所述的一種高性能的寬帶有源雙平衡混頻器，其特征在于，該混頻器封裝成芯片模塊后，芯片的左端、上端、右端均設有接地單元，所述接地單元上設有正六邊形通孔。