[實(shí)用新型]一種低成本碳化硅肖特基二極管芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821301411.4
• 申請(qǐng)日: 2018-08-13
• 公開（公告）號(hào): CN208706656U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李東華;楊曉亮;宋迎新;單維剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L29/16
• 分類號(hào): H01L29/16;H01L21/329;H01L29/872
• 代理公司: 濟(jì)南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 37105
• 代理人: 楊先凱

1.一種低成本碳化硅肖特基二極管芯片，其特征在于，包括背面層狀金屬電極、正面層狀金屬電極、襯底、外延層一、P型保護(hù)環(huán)、肖特基金屬層、環(huán)狀鈍化層以及環(huán)狀聚酰亞胺膜；

所述背面層狀金屬電極、襯底以及外延層一從下往上依次疊加，所述襯底的上表面上設(shè)置有外延層一，所述襯底的下表面上淀積設(shè)置有所述背面層狀金屬電極；

所述P型保護(hù)環(huán)設(shè)置在所述外延層一的上表面上，所述P型保護(hù)環(huán)位于所述外延層一的外部；

所述外延層一的且位于所述P型保護(hù)環(huán)的環(huán)內(nèi)的上表面上淀積設(shè)置有所述肖特基金屬層，所述肖特基金屬層與所述P型保護(hù)環(huán)的內(nèi)側(cè)向環(huán)面接觸；

所述環(huán)狀鈍化層設(shè)置在所述外延層一的上表面上且所述環(huán)狀鈍化層的下環(huán)狀表面的內(nèi)圈遮蓋所述P型保護(hù)環(huán)的上環(huán)狀表面的外圈；

所述正面層狀金屬電極覆蓋著所述肖特基金屬層的上表面以及所述P型保護(hù)環(huán)的上環(huán)狀表面的內(nèi)圈；

所述環(huán)狀聚酰亞胺膜覆蓋著所述正面層狀金屬電極與所述鈍化層的對(duì)接縫處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅肖特基二極管芯片，其特征在于，所述正面層狀金屬電極為Al金屬層或Au金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅肖特基二極管芯片，其特征在于，所述背面層狀金屬電極包括從上到下依次疊加的歐姆接觸層、Ni金屬層與Ag金屬層，所述歐姆接觸層為金屬鎳層，厚度為200nm到300nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅肖特基二極管芯片，其特征在于，所述環(huán)狀鈍化層為二氧化硅層或氮化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅肖特基二極管芯片，其特征在于，所述肖特基金屬層為肖特基金屬鉬層。