[實用新型]一種電磁屏蔽結構

有效

• 申請號: 201821301025.5
• 申請日: 2018-08-13
• 公開（公告）號: CN208462292U
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 董仕晉;劉斌;白安洋;鄭翰;曹宇
• 申請（專利權）人: 北京夢之墨科技有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電磁屏蔽結構，其特征在于，包括：依次層疊設置的基底、膠黏劑層、復合層和封裝層；其中，所述復合層包括導電絲網和填充于所述導電絲網的空隙中的填充物，所述填充物包括低熔點金屬。

2.根據權利要求1所述的電磁屏蔽結構，其特征在于，所述導電絲網為黃銅網、紫銅網、不銹鋼網、鎳網、鐵網、銀網、錫網、坡莫合金網、鍍錫銅包鋼網或者鍍錫銅包鋁網。

3.根據權利要求2所述的電磁屏蔽結構，其特征在于，所述填充物中的低熔點金屬為鎵銦合金或者鎵銦錫合金；所述導電絲網為黃銅網或者紫銅網。

4.根據權利要求1所述的電磁屏蔽結構，其特征在于，所述導電絲網的絲徑為30μm～200μm。

5.根據權利要求1所述的電磁屏蔽結構，其特征在于，所述導電絲網的目數為30目～300目。

6.根據權利要求1所述的電磁屏蔽結構，其特征在于，所述復合層的厚度為60μm～400μm。

7.根據權利要求1所述的電磁屏蔽結構，其特征在于，所述填充物還包括屏蔽填料，所述屏蔽填料用于屏蔽磁場和/或電場。

8.根據權利要求1所述的電磁屏蔽結構，其特征在于，還包括位于所述膠黏劑層和所述復合層之間的第一導電流體層，和/或，位于所述封裝層和所述復合層之間的第二導電流體層。

9.根據權利要求8所述的電磁屏蔽結構，其特征在于，所述第一導電流體層中的導電流體為低熔點金屬或者低熔點金屬與屏蔽填料的復合材料，且所述第一導電流體層中的導電流體包括的低熔點金屬與所述填充物包括的低熔點金屬相同；所述第二導電流體層中的導電流體為低熔點金屬或者低熔點金屬與屏蔽填料的復合材料，且所述第二導電流體層中的導電流體包括的低熔點金屬與所述填充物包括的低熔點金屬相同。

10.根據權利要求1所述的電磁屏蔽結構，其特征在于，所述基底為紡織品、橡膠、柔性塑料膜、紙張、無紡布、玻璃、木材、陶瓷、硬性塑料板、混凝土中的一種；或者，所述基底包括依次層疊設置的離型紙、粘結層和底膜，所述底膜與所述膠黏劑層接觸。