[實用新型]一種傳輸射頻信號的帶狀線/微帶線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821293796.4 | 申請日: | 2018-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN208655274U | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張昕;曹艷杰;陳少波;徐穎龍;虞成城 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市信維通信股份有限公司 |
| 主分類號: | H01B7/17 | 分類號: | H01B7/17;H01B11/06;H01P3/10;H01P3/18 |
| 代理公司: | 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275 | 代理人: | 張明 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 帶狀線 微帶線 屏蔽膜 傳輸射頻信號 屏蔽性能 屏蔽層 地層 本實用新型 電磁信號 加工生產(chǎn) 射頻饋線 側(cè)面 電連接 堆疊部 基材層 有效地 屏蔽 地孔 開窗 泄露 廠商 覆蓋 開放 | ||
本實用新型公開了一種傳輸射頻信號的帶狀線/微帶線,包括主體,所述主體中設(shè)有系統(tǒng)地層,所述主體上設(shè)有屏蔽膜,所述屏蔽膜覆蓋所述主體相對的兩個側(cè)面,所述屏蔽膜包括屏蔽層,所述屏蔽層與所述系統(tǒng)地層電連接。設(shè)置屏蔽膜對帶狀線/微帶線完全開放的兩個側(cè)面進(jìn)行屏蔽,有效地避免電磁信號從主體的兩側(cè)泄露,即使在帶狀射頻饋線寬度較窄的情況,帶狀線/微帶線也能夠擁有優(yōu)良的屏蔽性能;基材層上設(shè)置地孔有利于進(jìn)一步提高帶狀線/微帶線的屏蔽性能;設(shè)置開窗或堆疊部可以方便廠商加工生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及饋電線,尤其涉及一種傳輸射頻信號的帶狀線/微帶線。
背景技術(shù)
隨著移動通信技術(shù)的快速發(fā)展,到當(dāng)前4G網(wǎng)絡(luò),移動互聯(lián)網(wǎng)不論是在用戶數(shù)還是傳輸速率都呈現(xiàn)爆發(fā)增長,全球移動用戶的數(shù)量達(dá)到30多億,4G網(wǎng)絡(luò)傳輸速率達(dá)到百Mbps級,且未來5G網(wǎng)絡(luò)的商用,百億級的入網(wǎng)數(shù)量、ms級別的低延時及Gbps的傳輸速率即將變?yōu)楝F(xiàn)實。
終端產(chǎn)品則需要采用MIMO的多通道技術(shù)以實現(xiàn)高速傳輸。限于終端產(chǎn)品的輕薄化,越來越多的射頻傳輸方式由同軸線轉(zhuǎn)化為帶狀線/微帶線,帶狀線/微帶線一方面可達(dá)到和同軸線一樣的低損耗,另一方面可集成多合一傳輸線,還能達(dá)到輕薄化,但現(xiàn)有的用于傳輸射頻信號的帶狀線/微帶線因其側(cè)面完全開放,無法達(dá)到同軸線般的屏蔽性能。
未來5G終端產(chǎn)品集成化越來越高,天線的數(shù)量與工作頻率也將達(dá)到毫米波,必將對傳輸線的屏蔽性能提出更高的要求,才能保證傳輸線對外的輻射不會影響天線或其他器件正常工作,同樣天線或其他器件的輻射也會對傳輸線本身造成大的干擾。
如圖1所示,現(xiàn)有的未增加屏蔽措施的帶狀線包括基材層1和設(shè)于基材層1內(nèi)的信號線2,所述基材層1的上下表面分別設(shè)有系統(tǒng)地層3,作為優(yōu)化,現(xiàn)有的帶狀射頻饋線基材層1內(nèi)還設(shè)有至少兩個地線4,兩個所述地線4分別位于信號線2的左右兩側(cè),所述系統(tǒng)地層3與所述地線4電連接。
如圖2所示,現(xiàn)有的增加了屏蔽措施的帶狀線是在基材層1中信號線兩側(cè)增加地孔5。但是地孔5數(shù)量增多、地孔5密集時,帶狀射頻饋線固有的彎折屬性會變?nèi)酰酝ǔ2灰舜蜻^密的地孔,因此,采用此種屏蔽措施帶狀射頻饋線的屏蔽性能還是偏弱。
因此,有必要提供一種屏蔽性能好的傳輸射頻信號的帶狀線/微帶線。
實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供一種屏蔽性能好的傳輸射頻信號的帶狀線/微帶線。
為了解決上述技術(shù)問題,本實用新型采用的技術(shù)方案為:一種傳輸射頻信號的帶狀線/微帶線,包括主體,所述主體中設(shè)有系統(tǒng)地層,所述主體上設(shè)有屏蔽膜,所述屏蔽膜覆蓋所述主體相對的兩個側(cè)面,所述屏蔽膜包括屏蔽層,所述屏蔽層與所述系統(tǒng)地層電連接。
進(jìn)一步的,所述屏蔽膜覆蓋所述主體的頂面和/或所述主體的底面。
進(jìn)一步的,所述主體包括基材層,基材層的頂面和/或基材層的底面設(shè)有所述系統(tǒng)地層,所述系統(tǒng)地層遠(yuǎn)離所述基材層的一側(cè)設(shè)有第一保護(hù)層,所述第一保護(hù)層上設(shè)有開窗,所述開窗內(nèi)填充有導(dǎo)電介質(zhì),所述屏蔽層通過所述導(dǎo)電介質(zhì)與所述系統(tǒng)地層導(dǎo)通。
進(jìn)一步的,所述屏蔽膜覆蓋所述主體的外輪廓面,所述基材層的頂面和基材層的底面分別設(shè)有所述系統(tǒng)地層,兩個所述第一保護(hù)層上分別設(shè)有所述開窗。
進(jìn)一步的,所述基材層內(nèi)設(shè)有信號線及地線,所述基材層上設(shè)有地孔,所述地線通過所述地孔與所述系統(tǒng)地層導(dǎo)通。
進(jìn)一步的,所述屏蔽膜覆蓋所述主體的外輪廓面,所述基材層的底面設(shè)有所述系統(tǒng)地層,所述基材層的頂面設(shè)有第二保護(hù)層,所述基材層靠近所述第二保護(hù)層的一側(cè)設(shè)有信號線及地線,所述基材層上設(shè)有地孔,所述地線通過所述地孔與所述系統(tǒng)地層導(dǎo)通。
進(jìn)一步的,所述屏蔽膜呈具有開口的環(huán)狀。
進(jìn)一步的,所述開口靠近所述開窗設(shè)置。
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