[實用新型]P型晶體硅PERC電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821293486.2 | 申請日: | 2018-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN208797019U | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李宏偉;何勝;單偉;周盛永 | 申請(專利權)人: | 浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/056;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京元合聯(lián)合知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非;楊興宇 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池 減反射層 背面 硅片背面 硅片正面 鈍化層 硅片 外設 背面金屬電極 正面金屬電極 本實用新型 電池效率 鈍化結構 多晶硅層 光滑平整 正面復合 反射率 隧穿層 織構化 外部 光滑 減小 探出 穿透 復合 | ||
本實用新型提供了一種P型晶體硅PERC電池,該電池包括:P型晶體硅片,該P型晶體硅片具有織構化的正面和光滑的背面;設置于P型晶體硅片正面內部的PN結結構層;由內至外設置于P型晶體硅片正面外部的隧穿層、多晶硅層和正面減反射層,以及與P型晶體硅片正面接觸并探出正面減反射層的正面金屬電極;由內至外設置于P型晶體硅片背面外部的鈍化層和背面減反射層,以及與P型晶體硅片背面接觸并穿透鈍化層和背面減反射層的背面金屬電極。該電池的正面鈍化結構可以有效減小正面復合,提升電池效率。P型晶體硅片背面光滑平整,可以有效提升電池的背面反射率,進一步降低電池的背面復合。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池片生產制造領域,特別是涉及一種P型晶體硅PERC電池。
背景技術
PERC(Passivated emitter and rear contact)電池最早起源于上世紀八十年代,1989年由澳洲新南威爾士大學的MartinGreen研究組在AppliedPhysicsLetter首次正式報道了PERC電池結構,當時達到22.8%的實驗室電池效率。到了1999年其實驗室研究的PERL電池創(chuàng)造了轉換效率25%的世界紀錄。
目前,量產的PERC電池一般是在背表面利設置鈍化結構,通過開孔或開槽形成局部金屬接觸,這大大降低被表面復合速度,同時提升背表面的光反射,進而增大了開路電壓,使得量產電池的轉換效率突破21%,成為光伏市場主流產品。
雖然PERC電池的背鈍化技術已相對比較完善,但是目前的PERC電池并未在正面設置鈍化接觸結構,其正面復合仍然存在,使得電池的輸出電壓不高,從而影響了PERC電池效率的進一步提升。
實用新型內容
本實用新型提供了一種P型晶體硅PERC電池,用以減小電池正面、背面復合,提升電池效率,該電池包括:
P型晶體硅片,該P型晶體硅片具有織構化的正面和光滑的背面;
設置于P型晶體硅片正面內部的PN結結構層;由內至外設置于P型晶體硅片正面外部的隧穿層、多晶硅層和正面減反射層,以及與P型晶體硅片正面接觸并探出正面減反射層的正面金屬電極;
由內至外設置于P型晶體硅片背面外部的鈍化層和背面減反射層,以及與P型晶體硅片背面接觸并穿透鈍化層和背面減反射層的背面金屬電極。
具體實施中,所述織構化的正面為金字塔絨面或倒金字塔絨面。
具體實施中,所述PN結結構層的方阻為60Ω/□-150Ω/□。
具體實施中,所述隧穿層為二氧化硅隧穿層。
具體實施中,所述隧穿層的厚度為0.5nm-2nm,所述多晶硅層的厚度為5nm-25nm。
具體實施中,所述正面減反射層和背面減反射層為氮化硅層。
具體實施中,所述正面減反射層的厚度為60nm-90nm,所述背面減反射層的厚度為100nm-150nm。
具體實施中,所述正面減反射層的折射率為2.0-2.3。
具體實施中,所述正面金屬電極為銀電極。
具體實施中,所述鈍化層為氧化鋁鈍化層,所述氧化鋁鈍化層的厚度為4nm-15nm。
具體實施中,所述背面金屬電極為鋁電極,所述鋁電極的寬度為20um-100um。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





