[實用新型]埋入式濾波器芯片的多芯片堆疊式封裝模塊結構

有效

• 申請號: 201821289576.4
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN208507673U
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 付偉
• 申請（專利權）人: 付偉
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/538;H01L21/52
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

本實用新型揭示了一種埋入式濾波器芯片的多芯片堆疊式封裝模塊結構，封裝結構包括：封裝基板，其具有腔室；濾波器芯片，設置于腔室內，第一上表面與基板上表面位于同側，且第一上表面具有若干第一電極；功能芯片，設置于封裝基板的上方，第二下表面與基板上表面面對面設置，且第二下表面具有若干第二電極；若干互連結構，用于導通若干第一電極及若干第二電極。本實用新型利用封裝技術將兩個不同的芯片封裝于同一封裝基板，可以實現多芯片的高度集成；濾波器芯片及功能芯片呈上下分布，位于封裝基板上方的功能芯片并不占用封裝基板的空間，可以進一步提高封裝基板的利用率，簡化互連結構；濾波器芯片內嵌設置于腔室中，使得封裝結構更加輕薄。

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝領域，尤其涉及一種埋入式濾波器芯片的多芯片堆疊式封裝模塊結構。

背景技術

為迎合電子產品日益輕薄短小的發展趨勢，濾波器與射頻發射組件、接收組件需要被高度集成在有限面積的封裝結構中，形成系統級封裝(SystemInPackage，SIP)結構，以減小硬件系統的尺寸。

對于系統級封裝結構中的濾波器與射頻前端模塊封裝整合技術，業內仍存在相當多的技術問題亟需解決，例如，濾波器的保護結構、多個芯片之間的連接結構、多個芯片的布局等等。

發明內容

本實用新型的目的在于提供一種埋入式濾波器芯片的多芯片堆疊式封裝模塊結構。

為實現上述實用新型目的之一，本實用新型一實施方式提供一種埋入式濾波器芯片的多芯片堆疊式封裝模塊結構，包括：

封裝基板，具有相對設置的基板上表面及基板下表面，所述封裝基板具有腔室；

濾波器芯片，設置于所述腔室內，所述濾波器芯片具有相對設置的第一上表面及第一下表面，所述第一上表面與所述基板上表面位于同側，且所述第一上表面具有若干第一電極；

功能芯片，設置于所述封裝基板的上方，所述功能芯片具有相對設置的第二上表面及第二下表面，所述第二下表面與所述基板上表面面對面設置，且所述第二下表面具有若干第二電極；

若干互連結構，用于導通若干第一電極及若干第二電極。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述功能芯片位于所述腔室的上方，若干第一電極與若干第二電極面對面設置。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述基板下表面的一側具有若干外部引腳，所述封裝基板具有若干通孔，所述互連結構通過所述通孔而導通所述第一電極、所述第二電極及所述外部引腳。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述通孔與所述第二電極相互間隔分布。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述互連結構包括金屬柱、焊錫及電鍍層結構，所述金屬柱連接于所述第二電極的下方，所述電鍍層結構導通所述第一電極，且所述電鍍層結構通過所述通孔延伸至所述封裝基板的下方而導通所述外部引腳，所述焊錫用于導通所述金屬柱及所述電鍍層結構。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述電鍍層結構包括相互電氣導通的上重布線層、中間布線層及下重布線層，所述上重布線層位于所述封裝基板的上方并導通所述第一電極，所述下重布線層位于所述封裝基板的下方并導通所述外部引腳，所述中間布線層包括相連的位于所述基板上表面的第一電鍍層、位于所述通孔內壁的第二電鍍層及位于所述基板下表面的第三電鍍層，所述第一電鍍層連接所述上重布線層，所述第三電鍍層連接所述下重布線層。

作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述封裝模塊結構包括位于所述基板上表面、第一上表面上方的第一絕緣層、經過所述第一絕緣層上的孔洞而導通所述第一電鍍層及所述第一電極的上重布線層以及連接所述第一絕緣層及所述第二下表面的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有暴露出所述上重布線層并容納焊錫的開槽。