[實用新型]一種曝光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821289573.0
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN208432850U
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳勇輝;張俊
• 申請（專利權(quán)）人: 上海微電子裝備(集團)股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種曝光裝置，其特征在于，包括：進料檢測單元、傳輸單元和曝光單元；

所述進料檢測單元用于對基底進行檢測，并判定所述基底為合格基底或待處理基底；

所述傳輸單元用于將所述合格基底傳輸至所述曝光單元；

所述曝光單元用于對所述合格基底進行曝光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述進料檢測單元包括溫度檢測子單元、厚度檢測子單元和氣體揮發(fā)物檢測子單元中的至少一個，

所述溫度檢測子單元用于檢測所述基底的溫度，當所述基底的溫度不在預(yù)設(shè)溫度閾值范圍內(nèi)時，判定所述基底為所述待處理基底；

所述厚度檢測子單元用于檢測所述基底的厚度，當所述基底的厚度不在預(yù)設(shè)厚度閾值范圍內(nèi)時，判定所述基底為所述待處理基底；

所述氣體揮發(fā)物檢測子單元用于檢測所述基底的氣體揮發(fā)物，當所述基底的氣體揮發(fā)物不在預(yù)設(shè)氣體揮發(fā)物閾值范圍內(nèi)時，判定所述基底為所述待處理基底。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于，所述溫度檢測子單元包括溫度測量傳感器；

所述厚度檢測子單元包括橢偏儀或輪廓儀；

所述氣體揮發(fā)物檢測子單元包括氣體揮發(fā)物傳感器。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于，所述進料檢測單元還包括預(yù)對準子單元；

所述預(yù)對準子單元用于對所述基底進行預(yù)對準。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其特征在于，所述預(yù)對準子單元包括基底旋轉(zhuǎn)部件和邊緣傳感器；

所述基底旋轉(zhuǎn)部件用于放置基底，并調(diào)節(jié)基底的旋轉(zhuǎn)角度；

所述邊緣傳感器位于所述基底遠離所述基底旋轉(zhuǎn)部件的一側(cè)，用于檢測基底的位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其特征在于，所述進料檢測單元還包括第一污染物檢測子單元；

所述第一污染物檢測子單元用于檢測預(yù)對準后的所述基底的第一污染物含量，當所述基底的第一污染物含量不在預(yù)設(shè)第一污染物含量閾值范圍內(nèi)時，判定所述基底為所述待處理基底。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光裝置，其特征在于，所述第一污染物檢測子單元包括光學(xué)成像部件；所述第一污染物含量包括第一污染物的數(shù)量和成像面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其特征在于，所述進料檢測單元還包括對準標記測量子單元、調(diào)焦調(diào)平子單元和面型測量子單元中的至少一種；

所述對準標記測量子單元用于測量所述合格基底的對準標記的位置；

所述調(diào)焦調(diào)平子單元用于對所述合格基底進行調(diào)焦調(diào)平；

所述面型測量子單元用于測量所述合格基底的吸附面型。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，還包括出料檢測單元；

所述出料檢測單元用于檢測曝光后的所述基底，并判定曝光后的所述基底為合格曝光基底或不合格曝光基底。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的曝光裝置，其特征在于，所述出料檢測單元包括散射測量子單元和出料運動臺子單元；

所述出料運動臺子單元用于放置曝光后的所述基底；

所述散射測量子單元用于測量曝光后的所述基底的套刻偏移量，當所述套刻偏移量不在預(yù)設(shè)套刻偏移量閾值范圍內(nèi)時，判定曝光后的所述基底為所述不合格曝光基底。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的曝光裝置，其特征在于，所述出料檢測單元還包括第二污染物檢測子單元；

所述第二污染物檢測子單元用于檢測曝光后的所述基底的第二污染物含量，當曝光后的所述基底的第二污染物含量不在第二污染物含量閾值范圍內(nèi)時，判定曝光后的所述基底為不合格曝光基底。