[實用新型]半導體掩膜層結構有效

申請號：	201821283216.3	申請日：	2018-08-09
公開（公告）號：	CN208589409U	公開（公告）日：	2019-03-08
發明（設計）人：	吳晗	申請（專利權）人：	長鑫存儲技術有限公司
主分類號：	H01L21/027	分類號：	H01L21/027
代理公司：	北京潤平知識產權代理有限公司 11283	代理人：	肖冰濱;劉兵
地址：	230601 安徽省合肥市***	國省代碼：	安徽;34
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摘要：
搜索關鍵詞：	孔洞圖形掩膜層半導體掩膜層結構半導體集成電路多邊形區域縱向觀察中心處邊角垂直申請
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【權利要求書】：

1.一種半導體掩膜層結構，其特征在于，包括：

掩膜層，所述掩膜層具有孔洞圖形，所述孔洞圖形包括第一孔洞圖形陣列和第二孔洞圖形陣列，所述第一孔洞圖形陣列包括多個重復單元區，每個重復單元區被定義為從垂直于所述掩膜層的表面的縱向觀察由三個或三個以上第一孔洞圖形為邊角點圍成的多邊形區域，所述第二孔洞圖形陣列包括位于所述重復單元區的中心處的第二孔洞圖形。

2.根據權利要求1所述的半導體掩膜層結構，其特征在于，所述重復單元區由其中三個相鄰近的所述第一孔洞圖形作為邊角點圍成的三角形。

3.根據權利要求1所述的半導體掩膜層結構，其特征在于，所述重復單元區由其中四個相鄰近的所述第一孔洞圖形作為邊角點圍成的矩形。

4.根據權利要求1所述的半導體掩膜層結構，其特征在于，所述重復單元區由其中六個所述第一孔洞圖形作為邊角點圍成的六邊形，所述六個所述第一孔洞圖形對應于由兩次曝光分別形成的凸點圖形。

5.根據權利要求1所述的半導體掩膜層結構，其特征在于，所述重復單元區由其中九個所述第一孔洞圖形作為邊角點圍成的三角形，所述九個所述第一孔洞圖形對應于由三次曝光分別形成的凸點圖形。

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