[實用新型]電子集成電路芯片有效
| 申請號： | 201821280672.2 | 申請日： | 2018-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN208722879U | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | J·J·法戈;P·波伊文;F·亞瑙德 | 申請（專利權）人： | 意法半導體（克洛爾2）公司;意法半導體(魯塞)公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣體 半導體材料層 電子集成電路 晶體管 芯片 襯底 層絕緣 厚度比 延伸 | ||
1.一種電子集成電路芯片，其特征在于，包括：
絕緣體上半導體襯底，包括在支撐半導體襯底之上的絕緣層；
第一晶體管，布置在從所述支撐半導體襯底外延的外延半導體延伸的內部和頂部上；
第二晶體管，布置在所述絕緣層上的第一半導體材料層的內部和頂部上，所述第一半導體材料層具有第一厚度；以及
第三晶體管，布置在所述絕緣層上的第二半導體材料層的內部和頂部上，所述第二半導體材料層具有第二厚度，其中所述第二厚度比所述第一厚度大。
2.根據權利要求1所述的電子集成電路芯片，其特征在于，所述第一厚度小于20nm。
3.根據權利要求1所述的電子集成電路芯片，其特征在于，所述第一厚度在從5nm到20nm的范圍內。
4.根據權利要求1所述的電子集成電路芯片，其特征在于，所述第一厚度等于7nm±10％。
5.根據權利要求1所述的電子集成電路芯片，其特征在于，所述第二厚度大于30nm。
6.根據權利要求1所述的電子集成電路芯片，其特征在于，所述第二厚度在從30nm到50nm的范圍內。
7.根據權利要求1所述的電子集成電路芯片，其特征在于，所述第一厚度等于35nm±10％。
8.根據權利要求1所述的電子集成電路芯片，其特征在于，所述第一晶體管是體晶體管，所述第二晶體管是全耗盡絕緣體上硅晶體管，并且所述第三晶體管是部分耗盡絕緣體上硅晶體管。
9.根據權利要求1所述的電子集成電路芯片，其特征在于，進一步包括在所述外延半導體延伸中的絕緣區域，并且其中晶體管柵極在所述絕緣區域之上延伸。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
