[實用新型]基于氮化鎵功率器件的驅動器、橋臂、多相逆變電路以及印制電路板布局有效
| 申請號: | 201821259506.4 | 申請日: | 2018-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN208836020U | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 駱光照;崔龍然;邱蔡;薛釗;陶雪成;趙國棟;張澤良 | 申請(專利權)人: | 西北工業大學 |
| 主分類號: | H02M7/5387 | 分類號: | H02M7/5387;H02M1/088;H02M1/32 |
| 代理公司: | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人: | 王鮮凱 |
| 地址: | 710072 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氮化鎵 電阻 功率晶體管 氮化鎵功率器件 高頻抑制器 驅動芯片 并聯 阻抗 驅動器 多相逆變電路 尖峰吸收模塊 本實用新型 穩壓二極管 印制電路板 驅動電路 輸出端 橋臂 功率晶體管開關 電壓尖峰 穩定驅動 柵極連接 柵極驅動 振蕩 元器件 漏極 源極 串聯 輸出 保證 | ||
1.一種基于氮化鎵功率器件的驅動器,包括氮化鎵功率晶體管和驅動芯片,其特征在于還包括設于氮化鎵功率晶體管和驅動芯片之間的第一電阻R2、第二電阻R1、變阻抗高頻抑制器、穩壓二極管和尖峰吸收模塊;第一電阻R2并聯于驅動芯片的輸出端,第二電阻R1與變阻抗高頻抑制器串聯與氮化鎵功率晶體管de柵極連接,穩壓二極管與第二電阻R1及變阻抗高頻抑制器并聯后連接于驅動芯片的輸出端GND端;尖峰吸收模塊并聯于氮化鎵功率晶體管輸出端的漏極與源極;所述變阻抗高頻抑制器采用磁珠;所述尖峰吸收模塊采用電阻R3與電容C1的串聯電路,所述的電阻R3和電容C1串聯組成一個RC吸收電路。
2.根據權利要求1所述的基于氮化鎵功率器件的驅動器,其特征在于:所述電阻R3=((2~4)×535)×Iα,電容C1=(2~4)×10-8×Iα,其中Iα=0.367*Id,Id為功率器件工作電流。
3.一種采用權利要求1或2所述基于氮化鎵功率器件的驅動器構成的橋臂,其特征在于:將兩個驅動器構成一個橋臂時,在橋臂兩端連接一個或多個吸收電容。
4.一種采用權利要求3所述橋臂構成多相逆變電路,其特征在于:將n個橋臂構成逆變電路時,在每個橋臂兩端連接一個或多個吸收電容;所述n≥2。
5.一種實現權利要求1所述基于氮化鎵功率器件的驅動器的印制電路板的布局,其特征在于:以驅動芯片為起點,在驅動芯片對應的控制輸出管腳右端,第二電阻R1與磁珠FB1串聯放置在同一排,在這一排上部放置第一電阻R2和穩壓二極管組成的一排,在穩壓二極管的右端為電容C1和電阻R3串聯組成的一排,磁珠FB1的右部為氮化鎵器件Q1的柵極,在印制電路板的側邊設有輸入輸出端子P1、P2和P3。
6.根據權利要求5所述的布局及權利要求3所述的橋臂,其特征在于:當構成權利要求3所述的橋臂時的布局,上下橋臂驅動部分器件放置相同,氮化鎵器件上下橋臂靠近放置,兩個器件的RC吸收電路器件分別放置在橋臂的上下兩側,在橋臂的右側放置吸收電容C3。
7.根據權利要求5所述的布局及權利要求4所述的多相逆變電路,其特征在于:當構成權利要求4所述的多相逆變電路的布局,每個氮化鎵器件橋臂與母線正負連接時,各個橋臂分別通過次線與主母線正、負連接。
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