[實(shí)用新型]發(fā)聲裝置及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821257527.2
• 申請(qǐng)日: 2018-08-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208462041U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓菲菲;楊鑫峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歌爾科技有限公司
• 主分類號(hào): H04R3/00
• 分類號(hào): H04R3/00
• 代理公司: 北京太合九思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11610
• 代理人: 劉戈

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種發(fā)聲裝置及電子設(shè)備。其中，發(fā)聲裝置包括磁路系統(tǒng)、振動(dòng)系統(tǒng)及收容固定所述磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)的殼體；所述磁路系統(tǒng)位于所述振動(dòng)系統(tǒng)下方；所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜，所述振膜包括朝向所述磁路系統(tǒng)彎折的折環(huán)部；所述磁路系統(tǒng)包括邊磁路，所述邊磁路的上端面設(shè)置有避讓所述折環(huán)部振動(dòng)的第一凹弧面。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案能在保證振膜的振動(dòng)空間的同時(shí)，降低對(duì)磁路系統(tǒng)BL值的影響程度。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于電聲轉(zhuǎn)換裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體地，本實(shí)用新型涉及一種發(fā)聲裝置及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

發(fā)聲裝置是電子產(chǎn)品中的重要聲學(xué)部件，用于完成電信號(hào)與聲音信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換，是一種能量轉(zhuǎn)換器件。

在發(fā)聲裝置中，磁路設(shè)計(jì)的好壞直接影響產(chǎn)品的靈敏度。在小型化發(fā)聲裝置中，折環(huán)部的凸面通常是朝下設(shè)置(即朝向磁路系統(tǒng)設(shè)置)。現(xiàn)有技術(shù)中，為了留出振膜的振動(dòng)空間，會(huì)將磁路系統(tǒng)中邊磁路部分的高度整體降低相同高度且邊磁路部分的端面整體位于折環(huán)部最低點(diǎn)的下方。這樣的設(shè)計(jì)嚴(yán)重影響了磁路系統(tǒng)BL值(衡量發(fā)聲器中驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)強(qiáng)度的一個(gè)參數(shù))，使得現(xiàn)有技術(shù)中的小型化發(fā)聲裝置的聲學(xué)性能較差。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的一個(gè)目的是在保證振膜的振動(dòng)空間的同時(shí)，降低對(duì)磁路系統(tǒng)BL值的影響程度。

本實(shí)用新型一實(shí)施例提供了一種發(fā)聲裝置，包括：磁路系統(tǒng)、振動(dòng)系統(tǒng)及收容固定所述磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)的殼體；所述磁路系統(tǒng)位于所述振動(dòng)系統(tǒng)下方；所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜，所述振膜包括朝向磁路系統(tǒng)彎折的折環(huán)部；所述磁路系統(tǒng)包括邊磁路，所述邊磁路的上端面設(shè)置有避讓所述折環(huán)部振動(dòng)的第一凹弧面。可選地，所述第一凹弧面的曲率與所述折環(huán)部的折彎曲率相等。

可選地，所述第一凹弧面與水平面相切的點(diǎn)與所述折環(huán)部振動(dòng)時(shí)的最低點(diǎn)之間的距離不小于預(yù)設(shè)距離。

可選地，所述邊磁路包括邊磁鐵和邊導(dǎo)磁板；所述邊磁鐵的上端面設(shè)置有向下凹陷的第二凹弧面；所述邊導(dǎo)磁板具有與所述邊磁鐵的上端面適配的弧形結(jié)構(gòu)，且與所述邊磁鐵的上端面貼合；所述邊導(dǎo)磁板的弧形結(jié)構(gòu)的上端面形成有所述第一凹弧面。

可選地，所述磁路系統(tǒng)還包括中心磁路；所述中心磁路與所述邊磁路之間形成有磁間隙；所述邊磁路上端面的靠近所述中心磁路的第一側(cè)低于所述邊磁路上端面的遠(yuǎn)離所述中心磁路的第二側(cè)；所述邊磁路上端面的第一側(cè)與所述邊磁路上端面的第二側(cè)通過(guò)所述第一凹弧面連接。

可選地，所述第一側(cè)和所述第二側(cè)均為平面。

可選地，所述邊磁路為兩個(gè)；兩個(gè)所述邊磁路分別位于所述中心磁路的相對(duì)兩側(cè)；所述振動(dòng)系統(tǒng)中的音圈懸設(shè)在所述磁間隙中。

可選地，所述邊磁路為四個(gè)；四個(gè)所述邊磁路兩兩相對(duì)，且圍繞所述中心磁路設(shè)置；所述振動(dòng)系統(tǒng)中的音圈懸設(shè)在所述磁間隙中。

可選地，所述殼體為兩端開(kāi)口結(jié)構(gòu)；所述磁路系統(tǒng)還包括導(dǎo)磁軛；所述振動(dòng)系統(tǒng)固定于所述殼體的第一端開(kāi)口處，且所述第一端開(kāi)口處結(jié)合有用于保護(hù)所述振動(dòng)系統(tǒng)的前蓋；所述磁路系統(tǒng)固定于所述殼體的第二端開(kāi)口處；所述邊磁路位于所述導(dǎo)磁軛的上端面。

本實(shí)用新型又一實(shí)施例提供了一種電子設(shè)備，包括上述任一項(xiàng)所述的發(fā)聲裝置。

與現(xiàn)有技術(shù)中為了保證振膜的振動(dòng)空間，將邊磁路部分的高度整體降低相同高度的方法相比，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，為了保證振膜的振動(dòng)空間，在邊磁路的上端面設(shè)置第一凹弧面來(lái)避讓振膜折環(huán)部的振動(dòng)，可減低對(duì)邊磁路部分的體積和形狀的改變量，因此，對(duì)磁路系統(tǒng)BL值的影響較小。

通過(guò)以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說(shuō)明

構(gòu)成說(shuō)明書的一部分的附圖描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且連同說(shuō)明書一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。