[實(shí)用新型]MEMS器件和自動(dòng)聚焦系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821256823.0
• 申請(qǐng)日: 2018-08-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209338108U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·帕希;D·朱斯蒂;I·馬蒂尼
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B81B3/00
• 分類(lèi)號(hào): B81B3/00;G02B15/04
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種MEMS器件，其特征在于，包括：

支撐體，至少部分地由半導(dǎo)體材料形成；

第一腔體，在所述支撐體內(nèi)延伸；

膜，包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，并且所述膜包括在所述第一表面上固定到所述支撐體的周邊部分和在所述第一腔體上方延伸的懸置部分；

突出區(qū)域，固定到所述膜的所述第一表面；

第一可變形結(jié)構(gòu)，在所述膜的所述懸置部分的所述第二表面上方延伸，與所述膜的所述懸置部分的中心部分相隔一段距離，所述第一可變形結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述突出區(qū)域而朝向所述膜的所述周邊部分橫向突出，并且所述突出區(qū)域相對(duì)于所述第一可變形結(jié)構(gòu)而朝向所述膜的所述懸置部分的中心部分橫向突出，所述第一可變形結(jié)構(gòu)以電可控制的方式是可變形的，以致使所述膜的所述懸置部分的變形，從而致使所述懸置部分的中心部分沿第一方向平移；和

第二可變形結(jié)構(gòu)，至少部分地在所述膜的所述懸置部分的第二表面上方延伸，所述第二可變形結(jié)構(gòu)在所述膜的所述周邊部分的方向上從所述第一可變形結(jié)構(gòu)橫向偏移，所述第二可變形結(jié)構(gòu)以電可控制的方式是可變形的，以致使所述膜的所述懸置部分的變形，從而致使所述懸置部分的中心部分沿不同于所述第一方向的第二方向平移。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述突出區(qū)域的厚度大于所述膜的厚度的兩倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，

所述第一可變形結(jié)構(gòu)包括由壓電材料形成的至少一個(gè)內(nèi)部可變形區(qū)域或者對(duì)應(yīng)的具有不同熱膨脹系數(shù)的材料的重疊區(qū)域?qū)Γ缓?/p>

所述第二可變形結(jié)構(gòu)包括由壓電材料形成的至少一個(gè)外部可變形區(qū)域或者對(duì)應(yīng)的具有不同熱膨脹系數(shù)的材料的重疊區(qū)域?qū)Α?/p>

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS器件，其特征在于，所述內(nèi)部可變形區(qū)域圍繞所述膜的所述懸置部分的中心部分，并且其中所述外部可變形區(qū)域以一段距離圍繞所述內(nèi)部可變形區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS器件，其特征在于，

所述第一可變形結(jié)構(gòu)包括多個(gè)內(nèi)部可變形區(qū)域，所述多個(gè)內(nèi)部可變形區(qū)域圍繞所述膜的所述懸置部分的中心部分布置；和

所述第二可變形結(jié)構(gòu)包括多個(gè)外部可變形區(qū)域，所述內(nèi)部可變形區(qū)域和所述外部可變形區(qū)域成角度地相互交叉。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，所述膜的所述懸置部分的中心部分具有對(duì)稱(chēng)軸線(xiàn)，并且其中所述內(nèi)部可變形區(qū)域最接近所述對(duì)稱(chēng)軸線(xiàn)并且與所述對(duì)稱(chēng)軸線(xiàn)間隔開(kāi)第一距離，并且其中最接近所述膜的所述周邊部分的對(duì)稱(chēng)軸線(xiàn)的點(diǎn)與所述對(duì)稱(chēng)軸線(xiàn)間隔開(kāi)第二距離，并且其中所述第一距離大于所述第二距離的三分之二。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述至少一個(gè)內(nèi)部可變形區(qū)域和所述至少一個(gè)外部可變形區(qū)域是相同的壓電材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述壓電材料是單晶態(tài)型壓電材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS器件，其特征在于，所述壓電材料是PZT。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，還包括延伸通過(guò)所述膜的孔，并且其中所述突出區(qū)域界定延伸通過(guò)所述突出區(qū)域的整個(gè)厚度的第二腔體，所述第二腔體面向所述孔。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MEMS器件，其特征在于，還包括光學(xué)耦合到所述孔和所述次腔體的透鏡，并且其中所述透鏡機(jī)械地耦合到所述膜并且響應(yīng)于所述膜的變形而變形。