[實用新型]半導體存儲器結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821248277.6
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN208460765U
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 李博瀚;陳曉亮

1.一種半導體存儲器結構，其特征在于，包括：

襯底，由所述襯底的上表面界定有彼此間隔的多個有源區(qū)；

隔離結構，形成于所述襯底中并使所述有源區(qū)彼此絕緣；

字線，埋置于所述襯底中并沿所述字線延伸方向平行鋪設，以與所述有源區(qū)和所述隔離結構相交，相鄰的兩個所述字線之間形成有與所述有源區(qū)的中間區(qū)域相交的貫通的溝渠，所述溝渠在所述有源區(qū)上的部分包括由所述有源區(qū)上表面凹入的接觸窗口，用以與位線交迭；以及

位線接觸，形成于所述接觸窗口中的所述有源區(qū)上；

其中，所述溝渠在所述隔離結構上的部分包括由所述隔離結構上表面凹入的窗口間凹槽，所述窗口間凹槽相對于所述接觸窗口具有再凹入表面，低于所述溝渠內的所述有源區(qū)的表面，所述窗口間凹槽的最低點至所述溝渠內的所述有源區(qū)的表面的深度介于5.8nm～8.5nm，使所述溝渠中的多個相鄰的所述位線接觸不互相電連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器結構，其特征在于，還包括：

位線，形成于所述襯底上并呈連續(xù)波浪狀，所述位線接觸電性連接在所述位線與所述有源區(qū)相交錯的部位間；

其中，所述位線接觸沿著所述位線延伸方向形成的兩側壁具有在所述字線延伸方向上側蝕的剖切外形。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體存儲器結構，其特征在于，所述位線接觸在所述字線延伸方向上剖切的所述兩側壁的側蝕深度之和與所述位線接觸的頂部寬度的比值范圍介于25％～50％。

4.根據(jù)權利要求3所述的半導體存儲器結構，其特征在于，所述位線接觸在所述字線延伸方向上剖切的所述兩側壁的側蝕深度之和與所述窗口間凹槽的再凹入深度成正比例關系。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體存儲器結構，其特征在于，對應于所述窗口間凹槽的再凹入深度最大值8.5nm，所述位線接觸的所述兩側壁的側蝕深度之和最大值為所述位線接觸的頂部寬度的50％。

6.根據(jù)權利要求2所述的半導體存儲器結構，其特征在于，還包括：

保護層，覆蓋除所述溝渠區(qū)域以外的所述有源區(qū)和所述隔離結構的表面，所述位線迭設于所述保護層和所述位線接觸上。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體存儲器結構，其特征在于，所述溝渠通過刻蝕所述保護層在兩個相鄰的所述字線之間的部分而形成，所述接觸窗口的深度通過刻蝕所述有源區(qū)在所述溝渠中的部分而形成，所述窗口間凹槽的深度通過刻蝕所述隔離結構在所述溝渠中的部分而形成。

8.一種半導體存儲器結構，其特征在于，包括：

襯底，由所述襯底的上表面界定有彼此間隔的多個有源區(qū)；

隔離結構，形成于所述襯底中并使所述有源區(qū)彼此絕緣；

字線，埋置于所述襯底中并沿所述字線延伸方向平行鋪設，以與所述有源區(qū)和所述隔離結構相交，相鄰的兩個所述字線之間形成有與所述有源區(qū)的中間區(qū)域相交的貫通的溝渠，所述溝渠包括由所述有源區(qū)上表面凹入的接觸窗口；以及

位線接觸，形成于所述接觸窗口中的所述有源區(qū)上；

其中，所述溝渠還包括所述隔離結構在所述有源區(qū)之間的窗口間凹槽，所述接觸窗口窗口內相對于所述窗口間凹槽具有再凹入表面，使所述溝渠中的多個相鄰所述位線接觸不互相電連接。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體存儲器結構，其特征在于，還包括：

位線，形成于所述襯底上并呈連續(xù)波浪狀，所述位線接觸電性連接在所述位線與所述有源區(qū)相交錯的部位間；

其中，所述位線接觸沿著所述位線延伸方向形成的兩側壁具有在所述字線延伸方向上垂直的剖切外形。

10.根據(jù)權利要求9所述的半導體存儲器結構，其特征在于，還包括：

保護層，覆蓋除所述溝渠區(qū)域以外的所述有源區(qū)和所述隔離結構的表面，所述位線迭設于所述保護層和所述位線接觸上。

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體存儲器結構，其特征在于，所述溝渠通過刻蝕所述保護層在兩個相鄰的所述字線之間的部分而形成，所述接觸窗口的深度通過刻蝕所述有源區(qū)在所述溝渠中的部分而形成，所述窗口間凹槽的深度通過刻蝕所述隔離結構在所述溝渠中的部分而形成。