[實用新型]現(xiàn)場加長恢復電纜熔接直通接頭結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821246410.4
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN208423751U
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設計）人: 聶龍威;聶國金;鐘奇雙;鄧玉瓊
• 申請（專利權）人: 廣東科啟電力技術有限公司
• 主分類號: H02G15/08
• 分類號: H02G15/08
• 代理公司: 武漢開元知識產(chǎn)權代理有限公司 42104
• 代理人: 王和平

本實用新型涉及電纜連接領域，公開了一種現(xiàn)場加長恢復電纜熔接直通接頭結構，包括兩根電纜，還包括工字形的堵水連管導體，兩根電纜均由內(nèi)向外依次設置的電纜線芯、電纜本體內(nèi)半導電層、電纜本體絕緣層及電纜本體外半導電層組成，兩根電纜線芯裸露的裸露段分別熔融焊接于堵水連管導體的兩個缺口，堵水連管導體上纏繞有導體半導電布層，導體半導電布層外表面熔融包裹有恢復內(nèi)半導電層，恢復內(nèi)半導電層外表面熔融包裹有恢復絕緣層，恢復絕緣層外表面熔融包裹有恢復外半導電層。本實用新型現(xiàn)場加長恢復電纜熔接直通接頭結構，不用開挖太多的電纜溝，不用做接頭保護井，不用加長電纜對接，恢復好后可直接填埋。

技術領域

本實用新型涉及電纜連接領域，具體涉及一種現(xiàn)場加長恢復電纜熔接直通接頭結構。

背景技術

電纜運行事故的80％是發(fā)生在電纜中間接頭上，特別是中壓電纜，據(jù)統(tǒng)計，這些擊穿事故大多數(shù)發(fā)生在電纜附件上，電纜本體故障率較低。通過分析，引起電纜附件故障的原因，大部分是由于電纜附件本身存在的問題，且國際國內(nèi)業(yè)界均為如此現(xiàn)狀。

根據(jù)電纜故障分析總結，電纜附件的中間接頭導致電纜擊穿的原因主要為電纜附件接頭與電纜絕緣之間有可活動界面，存在電纜絕緣回縮或導致電纜接頭主體移位的隱患，在電場力和熱場作用下界面極易發(fā)生由于微氣隙、多因子老化、進潮、化學腐蝕、老化、雜質、電纜附件熱性能、介質損耗、熱脹冷縮等諸多原因引起接頭擊穿事故等。如果用傳統(tǒng)附件恢復通電要加一根比較長的電纜做兩個中間接頭，需要開挖面積比較大的電纜溝才能恢復以及要做兩個中間接頭保護井，施工周期長、成本高、效率低、安全性能差。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的就是針對上述技術的不足，提供一種現(xiàn)場加長恢復電纜熔接直通接頭結構，不用開挖太多的電纜溝，不用做接頭保護井，不用加長電纜對接，恢復好后可直接填埋，解決了現(xiàn)有傳統(tǒng)附件接頭擊穿所帶來不能快速恢復通電的諸多問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型所設計的現(xiàn)場加長恢復電纜熔接直通接頭結構，包括第一單相電纜和第二單相電纜，還包括工字形的堵水連管導體，所述第一單相電纜由內(nèi)向外依次設置的第一單相電纜線芯、第一單相電纜本體內(nèi)半導電層、第一單相電纜本體絕緣層及第一單相電纜本體外半導電層組成，所述第二單相電纜由內(nèi)向外依次設置的第二單相電纜線芯、第二單相電纜本體內(nèi)半導電層、第二單相電纜本體絕緣層及第二單相電纜本體外半導電層組成；

所述第一單相電纜線芯具有裸露于所述第一單相電纜本體內(nèi)半導電層外部的第一裸露段，所述第二單相電纜線芯具有裸露于所述第二單相電纜本體內(nèi)半導電層外部的第二裸露段，所述第一裸露段和第二裸露段分別熔融焊接于所述堵水連管導體的兩個缺口，傳統(tǒng)的附件都是工廠預制生產(chǎn)好的，都是標準件，無法加長附件的生產(chǎn)，根據(jù)電網(wǎng)標準，在同一條電纜按《額定電壓1kV(Um＝1.2kV)到 35kV(Um＝40.5kV)擠包絕緣電力電纜及附件第4部分：額定電壓 6kV(Um＝7.2kV)到35kV(Um＝40.5kV)電力電纜附件試驗要求GBT12706.4-2008》規(guī)定，10kV電纜附件距離大于2m，所以用傳統(tǒng)附件恢復通電要加一根比較長的電纜才能將原來電纜連接，要開挖面積比較大的電纜溝才能作業(yè)恢復以及要做兩個中間接頭保護井，施工周期長、成本高、效率低，通過工字形的所述堵水連管導體，不用開挖太多的電纜溝，不用做接頭保護井，不用加長電纜對接；

所述堵水連管導體上纏繞有導體半導電布層，所述導體半導電布層的兩端分別連接并纏繞包裹所述第一裸露段和第二裸露段，所述導體半導電布層起到屏蔽導體毛刺尖端作用，壓接過的導體處需要打磨，將所述導體半導電布層包裹在壓接處以及裸露的導體的表面上，屏蔽導體毛刺尖端避免形成高等電位放電對絕緣層的破壞；

所述導體半導電布層外表面熔融包裹有恢復內(nèi)半導電層，所述恢復內(nèi)半導電層的兩端分別熔融連接于所述第一單相電纜本體內(nèi)半導電層和第二單相電纜本體內(nèi)半導電層，所述恢復內(nèi)半導電層對導體的電場屏蔽保護作用，采用原電纜本體內(nèi)半導電層相同的材料，將恢復內(nèi)半導電層包裹在導體表面并與兩端原電纜本體內(nèi)半導電層連接，加熱交聯(lián)融合一體，形成無縫隙的電場屏蔽層；