[實用新型]陷光膜-光面晶體硅電池復(fù)合熱壓印裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821246372.2
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN208914629U
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許志龍;楊小璠;劉菊東;李煌;方正;彭海烽
• 申請（專利權(quán)）人: 集美大學(xué)
• 主分類號: B29C65/70
• 分類號: B29C65/70;H01L31/18;B29L31/34
• 代理公司: 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司 35203
• 代理人: 渠述華;甘紫紅

本實用新型公開了一種陷光膜?光面晶體硅電池復(fù)合熱壓印裝置，所述熱壓印裝置包括通過管路依次連接充泄氣模塊、熱壓印模塊及抽補氣模塊；所述熱壓印模塊包括加壓氣囊、陷光熱壓印模具、壓印導(dǎo)向滑座、限位塊、壓印導(dǎo)向柱、復(fù)位彈簧、熱壓印平臺及可活動密封的箱體；所述陷光熱壓印模具包括加熱裝置及位于加熱裝置下方的陷光模板，所述陷光模板下端間隔凸設(shè)多個陷光織構(gòu)，所述充泄氣模塊通過管路連接加壓氣囊，所述抽補氣模塊通過管路連接箱體，本實用新型具有結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低、生產(chǎn)效率高特點。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陷光膜-光面晶體硅電池復(fù)合熱壓印裝置。

背景技術(shù)

太陽能電池是利用半導(dǎo)體材料光生伏特效應(yīng)來工作的器件，能夠?qū)⑻柟獾哪芰恐苯愚D(zhuǎn)化為電能，其中，晶體硅電池以其性價比高的優(yōu)勢在光伏市場一直占據(jù)主流地位，而提高晶體硅電池光電轉(zhuǎn)換效率，關(guān)鍵在于提高光線吸收率和降低內(nèi)部電學(xué)損耗。為了更充分地利用太陽光，降低電池受光面對光的反射率，目前主要采用化學(xué)制絨技術(shù)獲取絨面晶體硅電池。但制絨工藝會導(dǎo)致晶體硅高溫擴散不一致、晶格位錯缺陷、接觸電阻增大等不利因素凸顯，從而削弱晶體硅電池的光生伏特效應(yīng)，限制了晶體硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率的進一步提高，如中國專利申請201210061306.9。

因此，部分學(xué)者嘗試在光面晶體硅電池表面復(fù)合陷光膜，以提高吸光率，從而如何制造出帶有陷光結(jié)構(gòu)的陷光膜成為亟待解決的問題，光刻膠熱熔法、軟刻蝕法等是光學(xué)薄膜的傳統(tǒng)制造方法,其加工效率低、成本高, 難以適應(yīng)批量化生產(chǎn)要求;而絲網(wǎng)印刷是大批量制造模式,但微細(xì)結(jié)構(gòu)精度難以控制。

近年來快速發(fā)展的熱壓印(hot embossing)成型已成為光學(xué)薄膜微細(xì)結(jié)構(gòu)制造的主要方法。熱壓印技術(shù)是一種表面結(jié)構(gòu)化技術(shù)，具有成本低、高通量、高分辨率和高精度等優(yōu)點。采用熱壓印技術(shù)不僅可以制造出帶有陷光結(jié)構(gòu)的陷光膜，而且可以直接將陷光膜復(fù)合在光面晶體硅電池表面。

中國專利申請201280031317.0公布了一種熱壓印方法，用于至少一個帶狀壓印薄膜的至少一部分在一個帶狀基層體上的熱壓印；中國專利申請201280031317.0還涉及一種相應(yīng)的熱壓印裝置，該裝置采用熱輥壓的方式，經(jīng)過兩次壓印得到帶有所需微結(jié)構(gòu)的薄膜。此裝置雖然可以達到連續(xù)化生產(chǎn)的目的，但是由于光面晶體硅電池為脆性材料，所以此裝置無法實現(xiàn)制造陷光膜并與光面晶體硅電池?zé)崛壅澈贤瑫r進行。

中國專利申請201010524604.8公開了一種用于紡織領(lǐng)域的熱壓印裝置，提供一種汽缸推動加熱的壓板進行印花的思路。此裝置采用氣缸推動，雖然可以實現(xiàn)快速壓印，但是成本隨之提高，并且不能像加壓氣囊那樣提供均勻的壓印力；此裝置的壓印過程沒有置于真空室內(nèi)，很難保證微結(jié)構(gòu)的成型精度。

中國專利申請201380061459.6涉及一種具有壓印設(shè)備的熱壓印設(shè)備，該熱壓印設(shè)備用于將設(shè)置在熱壓印薄膜的載體層上的轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到基質(zhì)上。該熱壓印設(shè)備包括能被加熱的壓印輥和反壓輥以及設(shè)置在下游的剝離設(shè)備，可以避免在壓印過程中的不清潔。壓印力可以通過超聲波支承裝置形成的空氣膜的厚度而被靈敏調(diào)節(jié)。但是，同樣地該熱壓印設(shè)備依然無法實現(xiàn)陷光膜與光面晶體硅電池?zé)崛壅澈线@一步驟，從而存在成本高和成品率低的缺陷。

綜上所述，在現(xiàn)有技術(shù)存在上述缺陷，致有本實用新型陷光膜-光面晶體硅電池復(fù)合熱壓印裝置產(chǎn)生。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種陷光膜與光面晶體硅復(fù)合熱壓印裝置，具有成本較低、結(jié)構(gòu)簡單、成品率高的特點。