[實用新型]一種人構性高介電常數的介電薄膜

有效

• 申請號: 201821214980.5
• 申請日: 2018-07-30
• 公開（公告）號: CN208848856U
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 吳春亞;以色列·米加;李昀儒
• 申請（專利權）人: 美國麥可松科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 李媛媛

1.一種人構性高介電常數的介電薄膜，其特征在于，該介電薄膜包括多個周期性重疊的子薄膜單元，每個子薄膜單元由低漏電材料的子薄膜與高介電材料的子薄膜重疊構成，每一層子薄膜的厚度均小于1nm；所述介電薄膜的最底層和最上層均為低漏電材料的子薄膜；所述低漏電材料的子薄膜采用一種或者多種不同材料；所述高介電材料的子薄膜采用一種或者多種不同材料；當所述介電薄膜采用多種不同材料時，每個子薄膜單元中，各子薄膜由最底層按漏電流先遞增再遞減的順序排列，或按禁帶寬度先遞減再遞增的順序排列。

2.根據權利要求1所述的一種人構性高介電常數的介電薄膜，其特征在于，每個子薄膜單元中，最底層的子薄膜為介電常數最小的子薄膜。

3.根據權利要求1或2所述的一種人構性高介電常數的介電薄膜，其特征在于，所述介電薄膜的下表面、上表面、或分別在其上表面和下表面設有一層幾納米厚的漏電流阻擋層。

4.根據權利要求3所述的一種人構性高介電常數的介電薄膜，其特征在于，所述漏電流阻擋層采用無機氧化物材料或有機自組裝單分子層材料。