[實用新型]過溫保護裝置有效
| 申請號: | 201821214917.1 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN208522449U | 公開(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發明(設計)人: | 王衛 | 申請(專利權)人: | 上海劍橋科技股份有限公司;浙江劍橋電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H02H5/04 | 分類號: | H02H5/04 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人: | 胡美強;鄧忠紅 |
| 地址: | 201114 上海市閔*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電阻 電壓比較器 電連接 過溫保護裝置 熱敏電阻 電子設備 接地 開關控制信號 硬件電路實現 本實用新型 電源電連接 開關控制端 負輸入端 過溫保護 開關輸出 正輸入端 電源端 發熱區 接線端 輸出端 整機 | ||
本實用新型提供一種過溫保護裝置,包括:第一電阻、第二電阻、第三電阻、熱敏電阻、電壓比較器、開關;第一電阻的一端與電源端電連接,第一電阻的另一端與第二電阻的一端電連接,第二電阻的另一端接地,第一電阻的另一端還與電壓比較器的正輸入端電連接;熱敏電阻設置于電子設備的發熱區,第三電阻的另一端接地,熱敏電阻的另一端還與電壓比較器的負輸入端電連接;電壓比較器的輸出端與開關的開關控制端電連接,電壓比較器用于向開關輸出開關控制信號;第二接線端用于與電子設備的電源電連接。該過溫保護裝置采用硬件電路實現,大大降低了成本,并且穩定性提高,能夠為整機提供可靠的過溫保護。
技術領域
本實用新型涉及過溫保護電路技術領域,特別涉及一種過溫保護裝置。
背景技術
整機在工作的時候會有一定的幾率出現因為軟件超負荷或者雷擊,靜電和一些可能的設計缺陷導致設備的某些模塊出現異常,進而導致整個設備發熱,嚴重的會出現外殼融化等燒毀的風險。現在普遍路由網關類設備中的熱保護裝置是增加一顆熱傳感器,熱傳感器發送溫度數據給處理器,由處理器在通過軟件來進行處理,并產生報警信號。該種技術方案成本較高。并且,該種技術方案的穩定性較差,一旦熱傳感器出現異常,不能準確獲取溫度信息,則熱保護功能就會失去;或者,處理器過熱,不能正常工作,則無法輸出過熱報警信號。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是為了克服現有技術的過溫保護設備的成本高、穩定性差的缺陷,提供一種成本低、穩定性高且可靠的過溫保護裝置。
本實用新型是通過下述技術方案來解決上述技術問題:
一種過溫保護裝置,包括:第一電阻、第二電阻、第三電阻、熱敏電阻、電壓比較器、開關;
開關包括開關控制端、第一接線端、第二接線端;
第一電阻的一端與電源端電連接,第一電阻的另一端與第二電阻的一端電連接,第二電阻的另一端接地,第一電阻的另一端還與電壓比較器的正輸入端電連接;
熱敏電阻設置于電子設備的發熱區,熱敏電阻的一端與電源端電連接,熱敏電阻的另一端與第三電阻的一端電連接,第三電阻的另一端接地,熱敏電阻的另一端還與電壓比較器的負輸入端電連接;
電壓比較器的輸出端與開關的開關控制端電連接,電壓比較器用于向開關輸出開關控制信號;
第二接線端用于與電子設備的電源電連接,為電子設備供電。
較佳地,熱敏電阻為負溫度系數熱敏電阻。
較佳地,開關為PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor,P型金屬-氧化物-半導體)場效應管,PMOS場效應管的柵極作為開關控制端,PMOS場效應管的源極作為第一接線端,PMOS場效應管的漏極作為第二接線端。
較佳地,過溫保護裝置還包括第四電阻,電壓比較器的輸出端還與第四電阻的一端電連接,第四電阻的另一端與電源端電連接。
較佳地,過溫保護裝置還包括第一電容,第一電容的一端與電源端電連接,第一電容的另一端接地。
較佳地,過溫保護裝置還包括第二電容,第二電容的一端與第二接線端電連接,第二電容的另一端接地。
較佳地,PMOS場效應管的最大通流量為3安培。
較佳地,PMOS場效應管的導通電阻的范圍為40-80毫歐(mΩ)。
較佳地,發熱區包括CPU(中央處理器)或電源模塊所在區域。
較佳地,開關控制信號為高電平時,第一接線端與第二接線端連通。
本實用新型的積極進步效果在于:該過溫保護裝置采用硬件電路實現,大大降低了成本,并且穩定性提高,能夠為電子設備整機提供可靠的過溫保護。
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