[實用新型]圖像傳感器、身份識別裝置及設備

有效

• 申請號: 201821207358.1
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN208873724U
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 王小明
• 申請（專利權）人: 深圳阜時科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型適用于光電技術領域，提供了一種圖像傳感器，其包括半導體襯底、光電二極管及反射層。所述半導體襯底包括相背設置的上表面及下表面。所述光電二極管形成在所述半導體襯底內部位于所述上表面的一側。所述光電二極管接收被一目標物反射進來的成像光線并將所接收的成像光線轉換成電信號。所述反射層設置在成像光線經過所述光電二極管后的傳播路徑上，用于將穿過所述光電二極管而未被轉換成電信號的成像光線反射回所述光電二極管。本實用新型還提供一種使用所述圖像傳感器的身份識別裝置及設備。

技術領域

本實用新型屬于光電技術領域，尤其涉及一種圖像傳感器、身份識別裝置及設備。

背景技術

傳統圖像傳感器的結構主要用于對可見光進行成像，因可見光波長相對較短，穿透光電二極管的深度較淺，大部分能被光電二極管吸收而轉換為電信號。然而，當需要對波長較長的紅外或近紅外光進行成像時，往往會因紅外或近紅外光的穿透能力較強，繞過光電二極管而無法被充分吸收并轉換為電信號，從而導致傳統圖像傳感器對紅外或近紅外光成像時的量子效率(Quantum Efficiency,QE)較低，影響成像品質。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種圖像傳感器、身份識別裝置及設備，旨在能夠有效提高圖像傳感器對近紅外光的量子效應。

本實用新型實施方式提供一種圖像傳感器，其包括半導體襯底、光電二極管及反射層。所述半導體襯底包括相背設置的上表面及下表面。所述光電二極管形成在所述半導體襯底內部位于所述上表面的一側。所述光電二極管接收被一目標物反射進來的成像光線并將所接收的成像光線轉換成電信號。所述反射層設置在成像光線經過所述光電二極管后的傳播路徑上，用于將穿過所述光電二極管而未被轉換成電信號的成像光線反射回所述光電二極管。

在某些實施方式中，所述圖像傳感器還包括用于隔離相鄰光電二極管的隔離結構。所述隔離結構包括形成在所述半導體襯底內部且圍繞每個光電二極管設置的溝槽。

在某些實施方式中，所述隔離結構沿其自身延伸方向的橫截面為倒三角形。且所述倒三角形的內部寬度從所述上表面至所述下表面逐漸減少。

在某些實施方式中，所述隔離結構沿其自身延伸方向的橫截面為長方形。

在某些實施方式中，所述長方形的縱橫比大于等于10比1，且小于等于100 比1。

在某些實施方式中，所述隔離結構沿其自身延伸方向的橫截面為倒置的梯形。

在某些實施方式中，所述隔離結構的溝槽自上表面向下表面進行延伸，并延伸至與下表面接觸。

在某些實施方式中，所述溝槽內設置有填充材料，所述填充材料為介電材料。

在某些實施方式中，所述隔離結構的內表面上設置有反射層。

在某些實施方式中，所述反射層設置在所述下表面上并朝向所述光電二極管。

在某些實施方式中，所述圖像傳感器還包括一個支撐結構。所述支撐結構設置在整個半導體襯底的下表面所在的一側，用于提高所述圖像傳感器的機械強度。

在某些實施方式中，所述反射層材料為反射紅外或近紅外光的材料。

本實用新型實施方式還提供一種身份識別裝置，其包括鏡頭組件、光源模組、識別模組及上述任意一實施方式的圖像傳感器。所述光源模組用于發射成像光線。所述圖像傳感器用于通過所述鏡頭組件接收被一目標物反射的成像光線，以感測所述目標物的圖像。所述識別模組用于根據所述圖像傳感器所獲取的圖像進行身份識別。

在某些實施方式中，所述圖像傳感器獲取目標物的臉部圖像。所述識別模組為臉部識別模組。所述臉部識別模組用于根據臉部圖像對目標物的身份進行識別。所述身份識別裝置為臉部識別裝置。