[實用新型]一種基于泄露輻射成像的CCD靶面安裝校準裝置

有效

• 申請號: 201821204443.2
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN208833665U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 黃學鹍;陳漪愷;周芊江;左葦;沈中華
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 張祥

1.一種基于泄露輻射成像的CCD靶面安裝校準裝置，其特征在于，所述裝置包括照明光源(1)、待測熒光物質(2)、含金屬層芯片基底(3)、折射率匹配油(4)、顯微物鏡(5)、反射鏡(6)、偏振元件組(7)、濾光片(8)、聚束透鏡(9)、水平移動軸(10)、成像透鏡(11)和CCD圖像傳感器(13)，所述照明光源(1)、含金屬層芯片基底(3)、折射率匹配油(4)、顯微物鏡(5)依次同軸設置，所述偏振元件組(7)、濾光片(8)、聚束透鏡(9)、成像透鏡(11)和CCD圖像傳感器(13)依次同軸設置，所述待測熒光物質(2)位于含金屬層芯片基底(3)上且能夠被照明光源(1)發出的照明光直接輻照到，從而出射熒光，所述熒光透過含金屬層芯片基底(3)、折射率匹配油(4)和顯微物鏡(5)后再經過反射鏡(6)反射通過偏振元件組(7)與濾光片(8)，從而過濾掉伴隨的照明光，再經過聚束透鏡(9)和成像透鏡(11)收集信號于CCD圖像傳感器(13)，所述成像透鏡(11)設置于水平移動軸(10)上并能在水平移動軸(10)水平移動。

2.根據權利要求1所述的基于泄露輻射成像的CCD靶面安裝校準裝置，其特征在于，所述照明光是激光。

3.根據權利要求2所述的基于泄露輻射成像的CCD靶面安裝校準裝置，其特征在于，所述偏振元件組(7)是由偏振片和1/2波片組成的偏振元件組，用于調節所出射熒光的偏振方向并提高檢測精度。

4.根據權利要求3所述的基于泄露輻射成像的CCD靶面安裝校準裝置，其特征在于，所述的含金屬層芯片基底(3)，是由玻璃基底層、金屬薄膜層和聚合物薄膜保護層構成的三層結構，金屬薄膜層蒸鍍在玻璃基底層上，聚合物薄膜層旋涂在金屬薄膜層上。

5.根據權利要求4所述的基于泄露輻射成像的CCD靶面安裝校準裝置，其特征在于，所述金屬薄膜層是由一層銀構成。

6.根據權利要求5所述的基于泄露輻射成像的CCD靶面安裝校準裝置，其特征在于，所述金屬薄膜層的厚度為45納米。

7.根據權利要求5所述的基于泄露輻射成像的CCD靶面安裝校準裝置，其特征在于，所述聚合物薄膜保護層由不含任何熒光物質的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)構成。

8.根據權利要求7所述的基于泄露輻射成像的CCD靶面安裝校準裝置，其特征在于，所述聚合物薄膜保護層的厚度為0.22微米。