[實用新型]一種多晶硅還原爐電極絕緣結構

有效

• 申請號: 201821203559.4
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN208561706U
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 盛斌;陳丞浩;殷亞軍
• 申請（專利權）人: 江蘇雙良新能源裝備有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035;H01B17/58
• 代理公司: 江陰市揚子專利代理事務所(普通合伙) 32309
• 代理人: 隋玲玲

1.一種多晶硅還原爐電極絕緣結構，其特征在于：包括底盤（1）、四氟套（2）、第一絕緣磁環（3）、第二絕緣磁環（4）、第三絕緣磁環（5）和銅電極（6），所述銅電極（6）的外圓與四氟套（2）套裝，并通過四氟套（2）與底盤（1）緊密配合，所述第一絕緣磁環（3）設置在底盤（1）的上表面，所述第三絕緣磁環（5）套裝在銅電極（6）的頭部，所述第三絕緣磁環（5）設有臺階，所述臺階壓在第一絕緣磁環（3）的上表面，所述第二絕緣磁環（4）位于第三絕緣磁環（5）的外側。

2.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐電極絕緣結構，其特征在于：所述第三絕緣磁環（5）采用氮化硅材質。

3.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐電極絕緣結構，其特征在于：所述第二絕緣磁環（4）材質為不透明石英或氧化鋁,外側設置圓弧形波節。

4.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐電極絕緣結構，其特征在于：所述第三絕緣磁環（5）與銅電極（6）的頭部間隙配合，單側間隙為0.1-0.2mm。

5.根據權利要求1所述的一種多晶硅還原爐電極絕緣結構，其特征在于：所述四氟套（2）低于底盤（1）的上表面4-5mm。